Stoichiometry-controlled high k-dielectrics for THz operating devices

用于太赫兹操作装置的化学计量控制的高 k 电介质

• 批准号: 18360309
• 负责人: OYAMA Yutaka
• 金额: $ 10.16万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18360309/
• 关键词: 高誘電率ゲート酸化膜; テラヘルツトランジスタ; 分子層堆積; ノンストイキオメトリ; 点欠陥; 高誘電率グート酸化膜; フォトキャパシタンス

1. 高比誘電率~100、低リーク電流密度10^<-5>A/cm^2、高絶縁破壊電圧0.5MV/cmのTiOxゲート絶縁膜を実現(一部論文発表及び新規論文準備中)2. TiOxゲート絶縁膜による、ソース・ドレイン間隔4ナノメーター(電気的に10ナノメーター)極微小MISゲートトランジスタのE/D動作を実現(一部論文発表及び新規論文準備中)2. TiOxゲート絶縁膜による、ソース・ドレイン間隔4ナノメーター(電気的に10ナノメーター)極微小MISゲートトランジスタのE/D動作を実現(一部論文発表及び新規論文準備中)3. フォトキャパシタンス法によるTiOx及びSrTiOx絶縁膜中のノンストイキオメトリ欠陥電子準位を解明(一部論文発表及び新規論文準備中)

1. Achieves TiOx gate insulating film with a high relative dielectric constant of 100, low leakage current density of 10^<-5>A/cm^2, and high breakdown voltage of 0.5MV/cm (parts of papers and preparation of new papers) 2. Achieves E/D operation of source and drain spacing 4 nanometers (electrically 10 nanometers) using TiOx gate insulating film (parts of papers and准备新论文的准备）2。通过Tiox Gate绝缘膜（纸的一部分和新纸的准备）实现了源和排水间距的E/D运行4纳米（部分论文和新论文的准备）（新论文的一部分）

项目成果

Characteristics of electron beam-evaporated high k-TiOx thin films on n-GaAs

n-GaAs 上电子束蒸发高 k-TiOx 薄膜的特性

• 发表时间: 2007
• 期刊: Physical Status Solidi(c)4 No.5
• 作者: Yutaka Oyama;Takeo Ohno;Taiji Sato and Jun-ichi Nishizawa
• 通讯作者: Taiji Sato and Jun-ichi Nishizawa

MOCVD法によるn-Si上高誘電率TiOx薄膜の評価

MOCVD法评价n-Si上高介电常数TiOx薄膜

• 发表时间: 2007
• 作者: Yutaka Oyama;Takeo Ohno;Taiji Sato;Jun-ichi Nishizawa;小原芳洋
• 通讯作者: 小原芳洋

Defect aspects in ultra-shallow GaAs sidewall tunnel junctions implemented with molecular layer epitaxy

采用分子层外延实现的超浅 GaAs 侧壁隧道结的缺陷方面

• 发表时间: 2008
• 期刊: Journal of Physics and Chemistry of Solids 69(2-3)
• 作者: 東田賢二;田中將己;Yutaka Oyama
• 通讯作者: Yutaka Oyama