Study on multiple-color emission mechanism and device application of InGaN nanocolumns

InGaN纳米柱多色发光机理及器件应用研究

• 批准号: 18310079
• 负责人: KIKUCHI Akihiko
• 金额: $ 11.46万
• 依托单位: Sophia University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18310079/
• 关键词: ナノコラム; 発光ダイオード; ナノデバイス; 量子井戸; 半導体超微細化; ナノ結晶; 光源技術; 窒化物半導体; 分子線エピタキシー

InGaN/GaN多重量子井戸を発光層とする自己形成型GaNナノコラム結晶における多色発光現象の発現機構を説明する有力なモデルを構築した。デバイス応用技術として金属膜上フレキシブルナノコラムLEDを作製し室温赤色発光を得た。また、Tiマスクによるナノ結晶の位置・形状制御技術、ナノコラム径による青色から赤色までの発光色制御技術、なよび新しい機能性ナノ結晶であるGaNナノウォールを降開発した。

我们构建了一个强大的模型来解释以 InGaN/GaN 多量子阱作为发光层的自组装 GaN 纳米柱晶体的多色发光机制。作为器件应用技术，我们在金属薄膜上制作了柔性纳米柱LED，并获得了室温红光发射。此外，我们还开发了使用Ti掩模控制纳米晶体位置和形状的技术、通过改变纳米柱直径来控制发射颜色从蓝色到红色的技术，以及新型功能性纳米晶体GaN纳米墙。

项目成果

Photoluminescence of exciton and biexciton in GaN nanocolumns

• DOI: 10.1016/j.jlumin.2007.12.021
• 发表时间: 2008-05
• 期刊: Journal of Luminescence
• 影响因子: 3.6
• 作者: K. Kouyama;Masaya Inoue;Y. Inose;N. Suzuki;H. Sekiguchi;H. Kunugita;K. Ema;A. Kikuchi;K. Kishino

Improved Ti-mask selective-area growth (SAG) by rf-plasma-assisted molecular beam epitaxy demonstrating extremely uniform GaN nanocolumn arrays

• DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2008.11.056
• 发表时间: 2009-03-15
• 期刊: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
• 影响因子: 1.8
• 作者: Kishino, Katsumi;Sekiguchia, Hiroto;Kikuchi, Akihiko
• 通讯作者: Kikuchi, Akihiko

Optical properties of amber-emission InGaN/GaN single quantum disk nanocolumns

琥珀色发射 InGaN/GaN 单量子盘纳米柱的光学特性

• 发表时间: 2008
• 作者: J. Tanaka;K. Kishino;H. Sekiguchi;A. Kikuchi
• 通讯作者: A. Kikuchi

Ti-mask selective area growth of GaN nanowalls by rf-plasma assisted molecular beam epitaxy (Invited)

射频等离子体辅助分子束外延 Ti 掩模选择性区域生长 GaN 纳米墙（特邀）

• 发表时间: 2008
• 作者: A. Kikuchi;K. Kishino;T. Hoshino
• 通讯作者: T. Hoshino

半導体素子およびその製造方法

半导体器件及其制造方法

• 发表时间: 2008