ケイ素を含むパイ共役電子系の構造修飾による機能開拓

通过含硅π共轭电子系统的结构修饰探索功能

基本信息

  • 批准号:
    06J06666
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.79万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 财政年份:
    2006
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2006 至 2008
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

ラダー型π電子系は,強固で平面性の高い骨格に由来して,強い発光や高い電荷輸送性といった物性が期待できる.本研究ではこれまで,固体構造の修飾を目的に,架橋元素としてケイ素を用いたラダー型π電子系の固体状態での構造・配向の制御について検討してきた.また,特異な電子構造をもつ新たなラダー型π電子系の開発にも取り組み,ホスホニウムおよびボラートという双性イオンで架橋したスチルベンの合成を達成してきた.本年度は,この双性イオン架橋ラダーπ電子系について,基本骨格としての潜在性を示すことを目的として,二光子吸収特性の評価を行った.双性イオン架橋ラダーπ電子系は,双性イオン構造の効果により大きく分極した電子構造を有していることから,二光子吸収材料として期待できる骨格である.一連の双性イオン架橋ジスチリルベンゼン誘導体を前年度に開発した連続型カスケード反応により新たに合成し,それらの二光子吸収特性について,架橋元素の位置が及ぼす効果の解明,および長波長領域での優れた二光子吸収特性を示す誘導体の創製という二点に焦点を当てて検討した.前者においては,何れの誘導体も,ホスホニウムおよびボラートの架橋構造の順番によらず,850nmにおいて大きな二光子吸収断面積を示し,この骨格の有用性が明らかとなった.また,後者においては,ジスチリルベンゼンの両端のベンゼン環をチオフェン環に置き換えた誘導体が,1200nmにおいて784GMという大きな値を示した.これらは,双性イオン架橋修飾が,優れた二光子吸収材料を得るための手法として有用であることを示す結果である.
梯子类型π电子系统源自一个强大且高度平面的框架,可以预期具有强光发射和高电荷运输特性。在这项研究中,我们研究了使用硅作为交联元件在固态中梯子π电子系统的结构和方向的控制,目的是修改固体结构。我们还致力于开发具有独特电子结构的新梯子π电子系统,并实现了与磷和硼酸盐交叉链接的高苯甲酸的合成。今年,我们评估了两光子的吸收特性,目的是显示这种裂开桥的梯子π电子系统的潜伏期。由于zwitterion-ion结构的效果,骨桥接桥的梯子π电子系统具有较大的极化电子结构,因此可以预期作为两光子吸收材料。一系列骨桥接的梯子π电子系统是一个骨骼,可以作为两光子吸收材料,因为由于zwitterion-Irominic结构的影响,它具有较大的极化电子结构。在上一年中产生的连续级联反应新合成了Z扭曲离子交联的延伸脱酰苯衍生物,并研究了两光子的吸收特性,重点是两个点:阐明了交叉链接元素的位置和创造出良好的两光量属性的衍生元素的效果。在前者中,无论磷和硼酸磷的交联结构的顺序如何,这两个衍生物在850 nm处表现出较大的两光子吸收横截面区域,并且揭示了该骨干结构的有用性。在后者中,将苯苯甲苯两端苯环的衍生物替换为噻吩环,在1200 nm处显示出784克的较大值。这些结果表明,Zwitterionic交联修饰是获得出色的两光子吸收材料的一种方法。

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
分子内二重環化反応による双極性架橋スチルベンの合成
分子内双环化反应合成偶极桥联二苯乙烯
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    ○山田 洋;深澤 愛子;山口 茂弘
  • 通讯作者:
    山口 茂弘
双性イオン架橋ラダーπ電子系の二光子吸収特性
两性离子桥联梯π电子系统的双光子吸收特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    山田洋;深澤愛子;佐々木豊;秋山誠治;山口茂弘
  • 通讯作者:
    山口茂弘
Synthesis and Crystal Structures of Alkyl-Substituted Si-Bridged Distyrylbenzenes
烷基取代硅桥联二苯乙烯苯的合成和晶体结构
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Hiroshi Yamada;Caihong Xu;Atsushi Wakamiya;Shigehiro Yamaguchi
  • 通讯作者:
    Shigehiro Yamaguchi
ホスホニウム・ボラート架橋ジスチリルベンゼン類の一光子および二光子吸収特性
硼酸鏻桥联二苯乙烯苯的单光子和双光子吸收特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    山田洋;深澤愛子;佐々木豊;秋山誠治;山口茂弘
  • 通讯作者:
    山口茂弘
双極性架橋によるオリゴ(p-フェニレンビニレン)骨格の電子構造修飾
偶极交联对低聚(对亚苯基亚乙烯基)骨架电子结构的修饰
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    山田洋;深澤愛子;山口茂弘
  • 通讯作者:
    山口茂弘
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