角度分解光電子分光によるスピン配列した磁性薄膜における電子状態

使用角分辨光电子能谱研究自旋排列磁性薄膜中的电子态

基本信息

批准号：
17740237
负责人：
伊藤孝寛
金额：
$ 2.24万
依托单位：
Institute for Molecular Science
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2005
资助国家：
日本
起止时间：
2005 至 2007
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17740237/
关键词：
強相関電子系光物性磁性

项目摘要

本研究は、パルス磁場によってスピン配列させた磁性薄膜における高分解能角度分解光電子分光測定により、電子とスピンの相互作用が磁性に果たす役割を、スピン配列による電子状態の変化を通じて直接的に観測する事を目的とする。磁性薄膜における角度分解光電子分光測定をパルス磁場によってスピン配列した環境下で行うという本研究の目的を実現するために、平成19年度は、パルス磁場発生装置、磁化測定系の立ち上げ作業および分子線ビームエピタキシー(MBE)装置による高機能磁性薄膜の作成を行い、作成した磁性薄膜において角度分解光電子分光測定を行ってきた。以上の現状について詳細を以下に示す。1. スピン配列した磁性薄膜におけるin situ磁化測定系の立ち上げ磁性薄膜における磁気状態をスピン配列する前後で直接観測するために、パルス磁場発生装置、および磁化測定用カー光学系の試料準備槽への設置をすすめている。テスト測定および性能評価を経て、平成20年度夏頃に磁性薄膜における角度分解光電子分光をスピン配列した環境下で行う予定である。2. 磁気的性質の異なる強磁性機能薄膜における系統的角度分解光電子分光研究強磁性薄膜Eu0において強磁性転移温度(Tc〜70K)前後で放射光角度分解光電子分光測定を行った。その結果、Eu4f電子と伝導電子の間の混成強度が強磁性転移温度前後で急激に変化する明かになった。今後スピン配列の条件が系統的に変化する系における角度分解光電子分光測定を行うために、ナノスピンエレクトロニクス材料として重要な巨大磁気抵抗を伴い強磁性相転移温度が急激に増大する、電子ドープ(Eu->Gd、Eu->La置換)したEu0単結晶磁性薄膜のMBE作製を現在すすめている。

在这项研究中，我们将使用高分辨率角分辨光电子能谱测量自旋通过脉冲磁场排列的磁性薄膜，通过电子态的变化直接观察电子和自旋之间的相互作用对磁性的作用由于自旋对齐。为了实现这项研究的目的，即在脉冲磁场排列自旋的环境中对磁性薄膜进行角分辨光电子能谱测量，我们在 2007 财年致力于建立脉冲磁我们利用束外延（MBE）设备制造了高功能磁性薄膜，并对所制造的磁性薄膜进行了角分辨光电子能谱测量。上述现状的详细情况如下所示。 1. 建立自旋取向磁性薄膜原位磁化强度测量系统为了直接观察自旋取向前后磁性薄膜的磁性状态，我们安装了脉冲磁场发生器和样品制备槽，用于测量自旋取向磁性薄膜的磁化强度。我们建议安装用于磁化测量的克尔光学系统。经过测试测量和性能评估后，我们计划在 2008 年夏天左右在自旋对准环境中对磁性薄膜进行角分辨光电子能谱。 2. 不同磁性能铁磁功能薄膜的系统角分辨光电子能谱研究在铁磁转变温度（Tc~70K）左右的铁磁薄膜Eu0上进行同步辐射角分辨光电子能谱。结果表明，Eu4f电子与传导电子之间的杂化强度在铁磁转变温度附近快速变化。未来，为了在自旋排列条件发生系统变化的系统中进行角分辨光电子能谱测量，我们将使用电子掺杂（Eu）材料，该材料具有巨磁阻并迅速提高铁磁相变温度，即作为纳米自旋电子学的重要材料 ->Gd、Eu->La 替代）目前正在进行 Eu02 单晶磁性薄膜的 MBE 制造。

项目成果

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专利数量（0）

The origin of the phase separation in partially deuterate κ-(ET)_2Cu[N(CN)_2]Br studied by infrared magneto-microspectroscopy

红外磁显微光谱研究部分氘代κ-(ET)_2Cu[N(CN)_2]Br相分离的起源

DOI：
发表时间：
2005
期刊：
Solid State Communication 134
影响因子：
0
作者：
H. J. Im;et. al.;T.Ito et al.;T.Ito et al.;H.J.Im et al.;H.Miyazaki et al.;J.Onoe et al.;T.Ito et al.;T.Ito;H.J.Im;T.Ito;H.J.Im;T.Nishi
通讯作者：
T.Nishi

UVSOR-II BL7U: A bulk-sensitive VUV three-dimensional angle-resolved photoemission apparatus(Poster)

UVSOR-II BL7U：体敏VUV三维角分辨光电子发射装置（海报）

DOI：
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
0
作者：
H. J. Im;et. al.;T.Ito et al.;T.Ito et al.;H.J.Im et al.;H.Miyazaki et al.;J.Onoe et al.;T.Ito et al.;T.Ito;H.J.Im;T.Ito;H.J.Im;T.Nishi;K.Soda;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛
通讯作者：
伊藤孝寛

UVSOR-II BL7U低励起エネルギー3次元角度分解光電子分光装置の現状

UVSOR-II BL7U低激发能三维角分辨光电子能谱仪现状

DOI：
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
0
作者：
H. J. Im;et. al.;T.Ito et al.;T.Ito et al.;H.J.Im et al.;H.Miyazaki et al.;J.Onoe et al.;T.Ito et al.;T.Ito;H.J.Im;T.Ito;H.J.Im;T.Nishi;K.Soda;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛
通讯作者：
伊藤孝寛

UVSOR-II BL7Uにおける強相関電子系の低励起エネルギー3次元角度分解光電子分光(ポスター)

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DOI：
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
0
作者：
H. J. Im;et. al.;T.Ito et al.;T.Ito et al.;H.J.Im et al.;H.Miyazaki et al.;J.Onoe et al.;T.Ito et al.;T.Ito;H.J.Im;T.Ito;H.J.Im;T.Nishi;K.Soda;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛
通讯作者：
伊藤孝寛

Continuity of Ce 4f electronic structure across the quantum critical point : A resonant photoemission study on CeNi_<1-x>Co_xGe_2

Ce 4f 电子结构在量子临界点上的连续性：CeNi_<1-x>Co_xGe_2 的谐振光电子研究

DOI：
发表时间：
2005
期刊：
Physical Review B (Rapid Communications) 72
影响因子：
0
作者：
H. J. Im;et. al.;T.Ito et al.;T.Ito et al.;H.J.Im et al.;H.Miyazaki et al.;J.Onoe et al.;T.Ito et al.;T.Ito;H.J.Im;T.Ito;H.J.Im
通讯作者：
H.J.Im

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0
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H. J. Im;et. al.;T.Ito et al.;T.Ito et al.;H.J.Im et al.;H.Miyazaki et al.;J.Onoe et al.;T.Ito et al.;T.Ito;H.J.Im;T.Ito;H.J.Im;T.Nishi;K.Soda;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;S.Tatsuoka;K.Tanaka;M.Ueda;D.Kikuchi;K.Kuwahara;K.Kuwahara;K.Tanaka;K.Kuwahara et al.;A.Oyamada et al.;K.Kaneko et al.;D.Kawana et al.;M.Kohgi et al.;K.Kuwahara et al.;K.Kuwawahara et al.;K.Iwasa et al.;T.D.Matsuda et al.
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发表时间：
2007
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Journal of the Physical Society of Japan 76
影响因子：
0
作者：
H. J. Im;et. al.;T.Ito et al.;T.Ito et al.;H.J.Im et al.;H.Miyazaki et al.;J.Onoe et al.;T.Ito et al.;T.Ito;H.J.Im;T.Ito;H.J.Im;T.Nishi;K.Soda;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;S.Tatsuoka;K.Tanaka;M.Ueda;D.Kikuchi;K.Kuwahara;K.Kuwahara;K.Tanaka
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K.Tanaka

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DOI：
发表时间：
2005
期刊：
Physical Review B 72
影响因子：
0
作者：
H. J. Im;et. al.;T.Ito et al.;T.Ito et al.;H.J.Im et al.;H.Miyazaki et al.;J.Onoe et al.;T.Ito et al.;T.Ito;H.J.Im;T.Ito;H.J.Im;T.Nishi;K.Soda;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;S.Tatsuoka;K.Tanaka;M.Ueda;D.Kikuchi;K.Kuwahara;K.Kuwahara;K.Tanaka;K.Kuwahara et al.;A.Oyamada et al.;K.Kaneko et al.;D.Kawana et al.;M.Kohgi et al.;K.Kuwahara et al.;K.Kuwawahara et al.;K.Iwasa et al.
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发表时间：
2006
期刊：
Journal of the Physical Society of Japan 75・12
影响因子：
0
作者：
H. J. Im;et. al.;T.Ito et al.;T.Ito et al.;H.J.Im et al.;H.Miyazaki et al.;J.Onoe et al.;T.Ito et al.;T.Ito;H.J.Im;T.Ito;H.J.Im;T.Nishi;K.Soda;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;S.Tatsuoka;K.Tanaka;M.Ueda;D.Kikuchi;K.Kuwahara;K.Kuwahara;K.Tanaka;K.Kuwahara et al.;A.Oyamada et al.;K.Kaneko et al.;D.Kawana et al.;M.Kohgi et al.;K.Kuwahara et al.;K.Kuwawahara et al.;K.Iwasa et al.;T.D.Matsuda et al.;K.Iwasa et al.;A.Hanan et al.;P.Fischer et al.;青木勇二;田中謙弥;桑原慶太郎;龍岡翔;池生剛;齎藤隆志;菊地大輔;戸田静香;池生剛;龍罔翔;Masafumi Udagawa;D.Tahara;H.Seo;K.Matsuda
通讯作者：
K.Matsuda