後シナプスGABA_B受容体の小脳長期抑圧現象への寄与

突触后GABA_B受体对小脑长期抑郁现象的贡献

基本信息

批准号：
16700344
负责人：
廣野守俊
金额：
$ 2.3万
依托单位：
The Institute of Physical and Chemical Research
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2004
资助国家：
日本
起止时间：
2004 至 2006
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16700344/
关键词：
小脳皮質 mGluR1 GABA_B受容体抑制性介在ニューロン小脳長期抑圧現象 LTD チロシンキナーゼ NO アドレナリン受容体抑制性シナプス伝達代謝調節型受容体ホスファチジルイノシトール二リン酸

项目摘要

1.小脳プルキンエ細胞において、mGluR1応答はGABA_B受容体活性化により増強する。シナプス周辺部のGABA_B受容体活性化には、GABAの持続的な放出が必要である。すなわち、抑制性介在ニューロンの連続的な発火が寄与するものと思われる。平行線維の頻回刺激は、プルキンエ細胞のmGluR1を活性化すると同時に抑制性介在ニューロンの発火頻度を上昇し、結果的にプルキンエ細胞のmGluR1応答を増強して、小脳長期抑圧現象(LTD)を促進すると推測される。mGluR1のアゴニストDHPGは、小脳プルキンエ細胞のmGluR1を活性化すると伴に抑制性介在ニューロンの発火頻度を上昇することが知られていた。しかし、その発火頻度上昇が如何なるメカニズムで生じるのか不明であった。そこで薬理学的に調べたところ、Srcファミリーのチロシンキナーゼを介して、抑制性介在ニューロンが興奮性内向き電流を誘起することが明らかとなった。このメカニズムは、プルキンエ細胞のTRPC1チャネルを介する応答と全く異なるものである。2.昨年度、小脳皮質の抑制性介在ニューロンから一酸化窒素(NO)が放出され、これが小脳LTDの誘発に関わる可能性がLindenらにより報告された。しかし、NOがどの細胞から放出されるかは未だ確定していない。そこで我々は、抑制性介在ニューロンの発現するある分化・成長因子に着目し、その因子がバーグマングリア細胞に作用して、NO合成、放出を誘起し、LTD形成を促進するのではないかという仮説を立てた。そこでまず始めに、その因子の受容体アンタゴニストを投与すると、LTD形成が阻害されることが分かった。

1。在小脑Purkinje细胞中，MGLUR1反应通过GABA_B受体激活增强。突触周围GABA_B受体激活需要持续释放GABA。换句话说，看来抑制性中间神经元的持续触发有助于。据推测，平行纤维的频繁刺激会激活Purkinje细胞中的MGLUR1，并同时增加抑制性中间神经元的发射频率，从而导致Purkinje细胞中的MGLUR1响应增强，从而促进长期的小脑小脑抑制（LTD）。已知MGLUR1的激动剂DHPG在小脑Purkinje细胞中激活时会增加抑制性中间神经元的发射频率。但是，目前尚不清楚哪种机制会导致发射频率的增加。药理学研究表明，抑制性中间神经元通过SRC家族酪氨酸激酶诱导兴奋性向内电流。该机制与Purkinje细胞通过TRPC1通道介导的反应完全不同。 2.去年，一氧化氮（NO）从小脑皮层中的抑制性神经元中释放出来，Linden等人报道。这可能涉及诱导小脑有限公司。但是，尚未确定将释放哪些细胞。因此，我们专注于抑制性中间神经元表达的某些分化和生长因子，并假设这些因素作用于Bergmanglia细胞，诱导无合成和释放，并促进LTD的形成。首先，发现为该因子抑制LTD形成的受体拮抗剂给药。