ワイドギャップ導電性オキシテルライドの合成および物性評価

宽禁带导电氧碲化物的合成及性能评价

• 批准号: 15760497
• 负责人: 植田 和茂
• 金额: $ 2.05万
• 依托单位: Kyushu Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2003
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2003 至 2004
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15760497/
• 关键词: ワイドギャップ; オキシテルル化物; 層状化合物; オキシテルライド; 導電性

本研究は、LaCuOCh(Ch=S,Se,Te)の光学的・電気的物性を系統的に理解することを狙い、LaCuOSと同一の結晶構造をもつLaCuOTeを合成し、その基本的な物性を調べることを目的とした。LaCuOTeは1998年にその相の存在が報告され、電子物性の報告は現在ほとんどない。しかし、今までの我々のLaCuOCh(Ch=S,Se)の研究結果を考慮すると、本物質においても興味ある光・電気・磁気的特性が得られる可能性は非常に高いと考えられる。本研究では、本物質の合成方法を確立し、簡単な光・電気的測定を行うことを目指した。更に、バンド計算を行い、その電子構造を調べることも目的とした。アニオンが2つあるということからも推測されるように、合成方法はそれほど簡単ではなかったが、2段階の熱処理により、単相のサンプルを得られることが明らかになった。一方、簡単な光・電気的測定に関しては、オキシ硫化物やオキシセレン化物と同様なp型半導体であったが、そのギャップは硫化物、セレン化物、テルル化物の順に小さかった。更に、光学遷移による発光を示さず、バンド計算からは、直接型のエネルギーギャップではなく、間接型のエネルギーギャップを持つことがわかった。以前までの研究と本研究から、一連のオキシカルコゲナイドLaCuOCh(Ch=S,Se,Te)は、いずれもワイドギャップp型半導体であるが、オキシテルル化物のみが間接ギャプであることが明らかになった。これらの成果の詳細は、論文にまとめ、J.Phys.Condens.Matterに印刷された。

这项研究旨在系统地了解LaCuoch（CH = S，SE，TE）的光学和电气性能，并旨在合成与Lacuos相同的晶体结构并研究其基本特性的LACUOTE。 lacuote于1998年报道，关于电子特性的报道很少。但是，考虑到我们对Lacuoch（CH = S，SE）的研究结果，到目前为止，这种材料很有可能还提供有趣的光学，电气和磁性。在这项研究中，我们建立了一种合成该材料并旨在执行简单光学和电气测量的方法。此外，目的是执行频带计算并检查其电子结构。从有两个阴离子的事实可以猜到，合成方法不是很简单，但是可以发现单相样品可以通过热处理的两个阶段获得。另一方面，简单的光学测量和电气测量是类似于氧气硫化物和氧yylenides的P型半导体，但是在硫化物，硒化合物和牙萝卜虫的顺序上，它们的间隙较小。此外，没有显示出由于光学转变而产生的发射，带计算表明它具有间接的能量隙，而不是直接的能量隙。先前的研究和这项研究表明，尽管一系列的氧化氧化物（CH = S，SE，TE）是所有宽的间隙P型半导体，但只有氧气是间接间隙。这些结果的详细信息是在纸上编译的，并在J.Phys.Condens.matter中印刷。

项目成果

Energy band structure of LaCuOCh (Ch=S, Se and Te) calculated by the F'LAPW method

FLAPW 方法计算的 LaCuOCh (Ch=S、Se 和 Te) 能带结构

• 发表时间: 2004
• 期刊: J.Phys. : Condens.Matter 16
• 作者: K.Ueda;H.Hosono;N.Hamada
• 通讯作者: N.Hamada