カルコパイライト型化合物半導体の有機金属気相成長に関する研究
黄铜矿型化合物半导体有机金属气相生长研究
基本信息
- 批准号：63790271
- 负责人：
- 金额：$ 0.7万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
- 财政年份：1988
- 资助国家：日本
- 起止时间：1988 至 无数据
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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原 和彦其他文献
二段階気相法を応用したGaN系積層構造蛍光体粒子の作製
两步气相法制备GaN基层状结构荧光粉颗粒
- DOI：
- 发表时间：
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- 影响因子：0
- 作者：
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中西洋一郎
六方晶窒化ホウ素薄膜のCVD成長におけるグレイン成長と結合
六方氮化硼薄膜CVD生长中的晶粒生长和耦合
- DOI：
- 发表时间：
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- 影响因子：0
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原 和彦
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- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
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原 和彦
GaN/InGaNナノアンブレラ結晶の光学特性と微小光共振
GaN/InGaN纳米伞状晶体的光学性质和微观光学共振
- DOI：
- 发表时间：
2017 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
光野 徹也;酒井 優;岸野 克巳;菊池 昭彦;梅原 直己;原 和彦 - 通讯作者：
原 和彦
原 和彦的其他文献
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Fabrication of quantum-dot-dispersed semiconductor films by the single process using mist CVD
使用雾气CVD单一工艺制造量子点分散半导体薄膜
- 批准号：
21K04154 - 财政年份：2021
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Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
可視短波長レーザ用新材料(Zn,Hg)(S,Se)のエピタキシャル成長と評価
可见短波长激光器新材料（Zn、Hg）（S、Se）的外延生长和评估
- 批准号：
06750011 - 财政年份：1994
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$ 0.7万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
硫化亜鉛薄膜中のツリウムイオンの発光およびエネルギー伝達過程の解明
阐明硫化锌薄膜中铥离子的发光和能量转移过程
- 批准号：
05750036 - 财政年份：1993
- 资助金额：
$ 0.7万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
希土類元素を原子層ドーピングした硫化亜鉛のMOMBE成長
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03750010 - 财政年份：1991
- 资助金额：
$ 0.7万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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用于实时测量循环生物标志物的植入式生物传感器微系统
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利用人类肠道微生物群的多糖分解能力来开发环境可持续的洗碗解决方案
- 批准号：
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Field Assisted Sintering of Nuclear Fuel Simulants
核燃料模拟物的现场辅助烧结
- 批准号：
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Development of a new solid tritium breeder blanket
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- 批准号：
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