Low molecular weight organic field effect transistors with large charge carrier mobilities

具有大载流子迁移率的低分子量有机场效应晶体管

• 批准号: 5304588
• 负责人: Professor Dr. Jens Pflaum
• 金额: --
• 依托单位: Lehrstuhl für Experimentelle Physik VI
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 2001
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2000-12-31 至 2008-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5304588?language=en
• 关键词: Low; molecular; weight; organic; field

Die übergeordnete Zielsetzung des vorliegenden Antrags besteht darin, die Entwicklung besonders schneller und effizienter organischer Dünnschicht-Feldeffekt-Transistoren durch gezielte Grundlagenforschung voranzutreiben. Dazu sollen zunächst Modelluntersuchungen zum Ladungsträgertransport in höchstreinen und perfekten dünnen organischen Einkristallscheiben durchgeführt werden (Teilbereich A). Diese Untersuchungen dienen vorrangig dazu, die Grenzen des physikalisch Möglichen - insbesondere bezüglich hoher Ladungsträger-Beweglichkeiten, die mit erwünschten hohen Schaltgeschwindigkeiten und geringen ohmschen Verlusten korrelieren - abzustecken und zu verstehen, aber auch (in Zusammenarbeit mit der Gruppe von Herrn von Klitzing), faszinierende neue Aspekte, wie Quantenhalleffekte [29] und Supraleitung [30,31] in organischen Feldeffekt-Transistorstrukturen zu erkunden. Die größte Relevanz für praktische Anwendungen kommt effizienten organischen Dünnschicht-Feldeffekt-Transistoren aus vakuumaufdampfbaren selbstordnenden großen Aromaten und Heteroaromaten zu. Dieser Thematik ist der Teilbereich B) des Antrags gewidmet. Materialwissenschaftliche Untersuchungen zu den Möglichkeiten und Randbedingungen des höchstgeordneten epitaktischen (d.h. einkristallinen) Wachstums organischer Halbleiterschichten auf isolierenden sowohl anorganischen als auch organischen Einkristall-Substraten dienen einerseits der Grundlagenforschung. Epitaktische Schichten organischer Halbleiter auf dünnen epitaktischen Gate-Isolationsschichten sollten es nämlich gestatten, ähnlich hohe Beweglichkeiten wie in Einkristallen zu erreichen. Andererseits lassen solche Untersuchungen erkennen, in welche Richtung weitere Entwicklungen gehen können.

最好的设计方法是设计和有效地组织 Dünnschicht-Feldeffekt-Transistoren 的 Grundlagenforschung voranzutreiben。 Ladungsträgertransport in höchstreinen und perfekten dünnenorganischen Einkristallscheiben durchgeführt werden (Teilbereich A)。 [29] 和Supraleitung [30,31] inorganischen Feldeffekt-Transistorstrukturen zu erkunden。 Heteroaromaten zu。Dieser Thematik ist der Teilbereich B) des Antrags gewidmet。 Sowohl anorganischen als auch Organischen Einkristall-Substraten dienen einerseits der Grundlagenforschung。 erreichen。