π電子供与体を配位子に含む高伝導性金属錯体の構築

含有π电子供体作为配体的高导电金属配合物的构建

基本信息

批准号：
12023222
负责人：
御崎洋二
金额：
$ 0.9万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份：
2000
资助国家：
日本
起止时间：
2000 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究では,二分子のTTFが融合したTTPを配位子に含む各種金属錯体を合成し,それらを用いた新規な分子性導体を構築することを目的としている。TTFジチオレートを配位子に含む金属錯体では,TTFを含むものよりも分子間の有効な重なりが期待されるため,より高伝導性の錯体が得られることが期待される。様々な金属を持つTTPジチオレン錯体の合成を試みた結果,銅を中心金属としたビス(TTPジチオレン)錯体をヘキシルアンモニウム(THA)塩(THA・Cu(ttpdt)_2)として,白金を中心金属とした非対称錯体を中性錯体Pt(ttpdt)(bpy)として単離することに成功した。得られた錯体のうちPt錯体Pt(ttpdt)(bpy)の電気化学的性質をCV法により検討したところ,3対の不可逆な酸化還元波が+0.18,+0.71,+1.11V(vs.SCE in PhCN)に観測された。各段階のピーク電流値の比較から最初の2段階は一電子移動,最も高電位側のピークは二電子移動に対応すると考えている。TTM-TTPの第一酸化電位が+0.53V,Pt(etdt)(bpy)が+0.20Vであることを考えると第一酸化で生成した陽電荷は主にジチオレン部および隣接した1,3-ジチオール環に分布しているものと考えられる。THA・Cu(ttpdt)_2およびPt(ttpdt)(bpy)の誘導体をTHF中NO_2SbF_6を用いて酸化させることにより,銅錯体については中性錯体が,Pt錯体についてはそれぞれをドナーとするSbF_6塩が得られた。これらの物質の加圧成型試料における伝導度を四端子法により測定したところ,Cu(ttpdt)_2錯体は中性にしては比較的良好な伝導性(σ_<rt>=10^<-2>-10^<-3>Scm^<-1>)を示した。一方,Pt(ttpdt)(bpy)のSbF_6塩は1:1塩であるため室温の伝導度も10^<-3>Scm^<-1>程度と低く,活性化エネルギー(E_a=0.16-0.20eV)も高い値であった。上記の結果をまとめた論文については投稿準備中である。

这项研究的目的是合成含有TTP的各种金属复合物，这些络合物与两个分子TTF融合为配体，并使用它们构建新的分子导体。含有TTF二硫代酸盐的金属复合物预计将具有比含有TTF的金属配体具有更有效的分子间重叠，因此预计将获得更高度的导电复合物。由于试图与各种金属合成TTP二硫烯络合物，我们成功地将Bis（TTP二硫烯）复合物与铜作为中心金属（THA）盐（Tha・Cu（ttpdt）_2）和非中心金属作为中间金属为中性复合物（By）（tha cu（ttpdt）_2）（tha cu（ttpdt）_2）（tha）盐（tha）盐（tha）盐（ttp二硫代）复合物（tha）（在获得的复合物中，通过CV方法研究了PT复合物PT（TTPDT）（BPY）的电化学性质，并在+0.18，+0.71， +1.11V（vse in PHCN中）观察到三对不可逆的氧化还原波。从每个阶段的峰值电流值的比较中，我们认为前两个阶段对应于单电子转移，而最高电位的峰对应于两电子转移。考虑到TTM-TTP的主要氧化潜力为 +0.53V，PT（ETDT）（BPY）为 +0.20V，因此人们认为，在初级氧化过程中产生的阳性电荷主要分布在二硫代基因部分和邻近的1,3-二硫醇环中。通过使用NO_2SBF_6在THF中的NO_2SBF_6氧化tha.cu（ttpdt）_2和pt（ttpdt）（ttpdt）（bpy）的衍生物，获得了铜复合物的中性复合物和pt络合物的中性复合物。通过四端方法测量了压制样品中这些材料的电导率，发现Cu（TTPDT）_2复合物表现出相对较高的电导率（σ_<rt> = 10^<-2> -10> -10^<-3> SCM^<-1>）。另一方面，PT（TTPDT）（BPY）的SBF_6盐为1：1盐，因此室温下的电导率在约10^<-3> scm^<-1>时低，并且激活能（E_A = 0.16-0.20EV）也很高。目前正在准备提交的论文正在准备上述结果。