CeF3における中性子/光子弁別回路設計及び性能評価

CeF3 中子/光子辨别电路设计及性能评估

• 批准号: 12014216
• 负责人: 青木 正治
• 金额: $ 1.86万
• 依托单位: The High Energy Accelerator Research Organization
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2000 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-12014216/
• 关键词: CeF3; 粒子弁別

平成11年度の研究(特定領域(A)(2)課題番号11127217)に引き続き、CeF3からのシンチレーション光発光時間スペクトルの測定を、より高い精度で作製時期の異なるCeF3サンプルに対して繰り返した。透過光のUVカットオフ波長はCeF3結晶の品質を計る指標の一つであるが、平成12年度の2個のサンプル、CeF3-12(1,2)、ではλ_0=293nmであって、これは平成11年度のサンプル(CeF3-11,λ_0=291nm)よりも若干悪い。発行時間スペクトル測定の結果、CeF3-12(1,2)ではα線・γ線共に短時間成分の割合が20-30%程度CeF3-11よりも低くなった。短時間成分の発光波長の中心値がそもそも286nmであるため、290nm近傍でのUVカットオフ波長に対してその収量が非常に敏感となっていることをうかがわせる。短時間成分と長時間成分の発光量の比のγ・α比そのものはCeF3-12(1,2)とCeF3-11で大差なかったが、粒子弁別の性能を考える上では短時間成分の絶対量が多いほうが好都合であり、CeF3-11の方が性能が高いと予想される。CeF3-12(1,2)はCeF3-11よりも作製年代が若いにもかかわらず品質が若干劣っていることは興味深い。又、昨年度よりも測定の精度を向上させることに成功した結果、既知の発光寿命であるτ=数nsec及びτ=30nsecに加えて第3の成分、τ=200nsec、が発光量で全体の10%もあることを発見した。これは、CeF3の発光機構を探る上で非常に重要な発見である。また、CeF3を高計数率で使用する時に解決するべき問題であろう。

继1999年进行的研究（具体领域（A）（2）项目编号11127217）之后，我们以更高的精度重复测量了不同时间制备的CeF3样品的CeF3闪烁发光时间光谱。透射光的紫外截止波长是衡量CeF3晶体质量的指标之一，但在2000年的两个样品CeF3-12(1,2)中，λ_0=293nm，比样品稍差从 1999 年开始（CeF3-11，λ_0=291nm）。发射时间谱测量的结果是，CeF3-12(1,2)中的α射线和γ射线的短时成分的比例比CeF3-11中低约20-30%。由于短时成分的发射波长的中心值原本是286nm，这表明良率对290nm附近的UV截止波长极其敏感。 γ/α比本身，即短时间成分与长时间成分的发光量之比，在CeF3-12(1,2)和CeF3-11之间没有显着差异，但是当考虑到就颗粒辨别性能而言，短时分量的绝对值很重要，数量越大越好，CeF3-11有望具有更高的性能。有趣的是，CeF3-12(1,2) 尽管生产时间较早，但其质量略逊于 CeF3-11。此外，与去年相比，成功提高了测量精度，除了已知的发光寿命τ=几纳秒和τ=30纳秒外，在总发光量中还添加了第三个成分τ=200纳秒。我发现还有%。这是探索CeF3发光机理的一个非常重要的发现。这也是高计数率使用CeF3时需要解决的问题。