微細フラッシュメモリ型トランジスタにおける電子波干渉と電子相関

微型闪存晶体管中的电子波干扰和电子关联

基本信息

批准号：
11875075
负责人：
中島安理
金额：
$ 1.28万
依托单位：
Hiroshima University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份：
1999
资助国家：
日本
起止时间：
1999 至 2001
项目状态：
已结题

项目摘要

我々が提案している微細フラッシュメモリ型トランジスタは、SOIウエハを使用する構造となっている。しかし、現在市場においては、2インチSOIウエハは存在しないため、6インチウエハから2インチウエハを形成する必要がある。昨年度は、微細フラッシュメモリ型トランジスタを広島大学のナノデバイス・システム研究センターにおいて作製するための準備として、直径6インチのSOIウエハから直径2インチのSOIウエハを作製するプロセスを開発した。今年度は、この2インチSOIウエハを用いて、実際に、直列多重接合を持つ単一電子トランジスタを形成し、その低温電気伝導特性の評価・解析を行った。このデバイスは、ソース、ドレイン、ゲート及びクーロン・アイランドが全てSOI基板のトップSi層に存在するインプレーン構造を有し、クーロン・アイランドも高ドープされている。低温においてクーロン・ギャップ及びクーロン振動が観測されており、クーロン・ギャップの大きさ等の解析からこのデバイスの電気伝導特性にはチャージ・ソリトンが影響している事を示唆した。今後、多重接合の数に対する伝導特性の変化等の研究を行うと伴に、本プロセスを基に微細フラッシュメモリ型トランジスタの作製に展開していく。今年度この他に関連研究として、酸化膜2重障壁単電子トランジスタの低温電気特性を評価した。これは、酸化膜を障壁とした場合のクーロンブローケイドの特性という点で研究課題と関連している。ploly-Siドットのサイズを小さくすると、周期的なクーロン振動を示すデバイスが多くなる事が判った。

我们提出的细闪存晶体管是使用SOI晶圆的。但是，在当前的市场中，没有2英寸的Soi晶圆，因此有必要从6英寸的晶片中形成2英寸的晶圆。去年，我们开发了一个工艺来制造soi晶片，直径为直径为2英寸，直径为6英寸，以准备在广岛大学的纳米系统研究中心制造精细的闪存晶体管。今年，我们实际上使用了这种2英寸的SOI晶圆，形成具有多个连接的单个电子晶体管，并评估并分析了其低温电导率特性。该设备具有一个平面内结构，其中源，排水，门和库仑岛都存在于SOI底物的顶部SI层中，并且库仑岛也高度掺杂。在低温下已经观察到库仑间隙和库仑振动，对库仑间隙的尺寸的分析表明，电荷孤子对该设备的电导率特性有影响。将来，随着我们对多个连接数量的传导特性变化进行研究，我们将根据此过程开发出精细的闪存晶体管的产生。今年，我们还评估了双屏障单电子晶体管的低温电性能。这与研究主题有关，当时氧化膜用作障碍时，库仑brocades的性质。已经发现，减小ploly-si点的尺寸会导致更多表现出周期性库仑振动的设备。