Fano resonance of low-dimensional excitons

低维激子的法诺共振

基本信息

  • 批准号:
    11640308
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.5万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    1999
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1999 至 2001
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Fano resonance (FR) of low-dimensional excitons manifests itself due to couplings of subbands generated by spatial quantum confinement. The resulting FR states belong to multi-channel scattering (MCS) states. However, there were a lot of difficulties in conventional theoretical methods because of little account of MCS problems. In the present study, one has succeeded to overcome all of these problems and to establish a novel MCS theory of low-dimensional excitons, which enables us to evaluate natural spectra and resonance widths of FR in ab initio manner. This approach consists of the adiabatic expansion and the R-matrix propagation based on the Luttinger Hamiltonian incorporating the effect of valence-band mixing (VBM). This theory has been applied to a single quantum-well (QW) and superlattices (Wannier Stark ladder (WSL)) of GaAs/Al_xGa_<1-x>As semiconductors, and variance of FR spectra due to changes of well-thickness and strength of electric- and magnetic-fields is examined in de tail. Above all, the following new findings are obtained. In relatively wide QW's, overlap resonance of FR ascribable to VBM is substantial. In an asymmetric double QW's, a hy bridized exciton states generated by an electron and hole pair pertaining to different wells has a somehow pronounced oscillator strength, which is also discernible in the existing experiment. Furthermore, FR plays decisive roles in dimensionality transition of WSL from a quasi-two dimensional system to a bulk one with decreasing an applied electric field.
低维激子的法诺共振(FR)由于空间量子限制产生的子带耦合而显现出来。由此产生的 FR 状态属于多通道散射 (MCS) 状态。然而,由于很少考虑MCS问题,传统的理论方法存在很多困难。在本研究中,我们成功地克服了所有这些问题,并建立了一种新颖的低维激子MCS理论,使我们能够从头开始评估FR的自然光谱和共振宽度。该方法由绝热展开和基于 Luttinger Hamiltonian 的 R 矩阵传播组成,并结合了价带混合 (VBM) 的效果。该理论已应用于GaAs/Al_xGa_<1-x>As半导体的单量子阱(QW)和超晶格(Wannier Starkladder(WSL)),以及由于阱厚度和强度变化引起的FR光谱的变化详细研究了电场和磁场的变化。最重要的是,获得了以下新发现。在相对较宽的 QW 中,归因于 VBM 的 FR 重叠共振相当大。在不对称双量子阱中,由属于不同阱的电子和空穴对产生的杂化激子态具有某种显着的振荡强度,这在现有实验中也是可以辨别的。此外,随着外加电场的减小,FR在WSL从准二维系统到大体系统的维数转变中起着决定性作用。

项目成果

期刊论文数量(29)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
K.Hino: "Conspicuous influence of hole-subband mixing on Fano-resonance profiles of excitons in a wide quantum well"Phys. Rev. B 62., R10626-R10629(2000) Erratum, Phys. Rev. B. 63. 119901-1-119901-1 (2001)
K.Hino:“空穴子带混合对宽量子阱中激子法诺共振剖面的显着影响”Phys。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
J. Azuma, N. Toshima, K. Hino, A. Igarashi: "Basis-spline calculations of proton and anti-proton impact ionization of a hydrogen atom"Phys. Rev. A. 64. 062704_1-062704_9 (2001)
J. Azuma、N. Toshima、K. Hino、A. Igarashi:“氢原子的质子和反质子碰撞电离的基本样条计算”Phys。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
K.Hino: "Fano Resonances of Quasi-Two-Dimensional Magnetoexcitons by the Three-Channel Landau-Zener Model"J.Phys.Soc.Jpn.. 69. 836-850 (2000)
K.Hino:“三通道朗道-齐纳模型的准二维磁激子的法诺共振”J.Phys.Soc.Jpn.. 69. 836-850 (2000)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
K.Hino: "High-Resolution Calculations of Fano Resonance of Excitons in Semiconductor Quantum Wells and Superlattices"Bulletin of the Stefan University, Luminescent Materials. 14. 39-42 (2002)
K.Hino:“半导体量子阱和超晶格中激子法诺共振的高分辨率计算”斯蒂芬大学公报,发光材料。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
K.Hino: "Multi-channel Scattering Calculations of Fano Interference of Quasi-Two-Dimensional Excitons"J.Phys.Soc.Jpn.. 69. 3441-3450 (2000)
K.Hino:“准二维激子 Fano 干涉的多通道散射计算”J.Phys.Soc.Jpn.. 69. 3441-3450 (2000)
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