基板制御いよる非平衡新物質相の創製と相変態

通过底物控制创建非平衡新材料相和相变

基本信息

批准号：
11123224
负责人：
山本雅彦
金额：
$ 1.09万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份：
1999
资助国家：
日本
起止时间：
1999 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

1.遷移金属系人工格子の創製とその磁性の研究強磁性遷移金属と非磁性貴金属とでなる人工格子を分子線蒸着(MBE)法で作製し,強磁性層に歪みを内包することに成功した.その結果,磁気異方性に優れた人工格子を作製することが出来た.強磁性層が薄いとき,人工格子は垂直磁気異方性を示した.2.軽希土類金属系人工格子の研究軽希土類金属は多くの水素を吸蔵する.この性質を利用して,Co/La多層膜に,水素をドープすることにより,LaをLaH_3に変えて,半導体化することに成功した.将来的には,スピントランジスター創製への期待が膨らんだ.3.X線分光素子用人工格子の研究x線分光素子として,自然界に存在しない周期をもつ人工格子が要望されている.この要望を達成するために,原子番号の大きな元素を反射層とし,原子番号の小さな元素をスペーサー層とした,極めて界面のシャープな結晶性に優れた多層膜・人工格子を作製することを試みた.Al/Pd系では,Al層厚さが0.4nmの場合,最初のAl/Pd層のみが(100)のエピタキシャル成長を示した.しかし,その後の層成長では,室温近傍の成長にもかかわらず,膜の構造はしだいに非晶質に変わっていった.とくに,この挙動は,Al層で顕著であった.また,Al層厚が0.8nmの場合は,最初のAl層から非品質となり,さらに成長を続けると,B2型Al-Pd金属間化合物の微細結晶が非晶質マトリックス中に形成されることがわかった.固相非晶質化は,種々の2元系で起こることが知られているが,ほとんどの場合,混合熱が絶対値の大きな負の値であること,原子半径の差が大きいことなどの条件が成立している.しかし,Al-Pt系など一部の系では,この条件が満たされていないにもかかわらず,イオン照射,低温加熱,冷間圧延等により固相非晶質化が起こることが報告されている.さらに本研究では,室温近傍の基板上において,分子線蒸着中にAl/Pd多層膜が固相非晶質化を起こすことを見出した.

1。基于过渡金属的人工晶格的创建及其磁性研究。通过分子束沉积（MBE）方法制备由铁磁过渡金属和非磁性贵金属制成的人工晶格，并成功封装在铁磁层中。结果，产生了具有出色磁各向异性的人工晶格。当铁磁层薄时，人造晶格表现出垂直磁各向异性。2。对轻质稀土金属的人工晶格的研究稀土金属吸收了大量的氢。使用此特性，LA在Co/La多层膜中掺杂了氢。我们已成功将其转换为LAH_3。将来，我们对创建旋转晶体管的期望很高。3。对于X射线光谱元件作为X射线光谱元件的人工晶格的研究，需要在自然界中不存在的时期的人工晶格。为了达到此请求，我们尝试使用具有较大原子数的元素作为反射层和带有小原子数字作为隔离层的元素来创建界面处具有极高结晶度的多层胶片和人工晶格。在AL/PD系统中，Al层的厚度是Al层的厚度是厚度。在0.4 nm处，只有第一个Al/PD层显示出（100）的外延生长。但是，在随后的一层生长中，尽管室温接近生长，但薄膜的结构逐渐变为无定形。这种行为在Al层中特别明显。此外，当Al层厚度为0.8 nm时，它从第一个Al层变成了不质量，并且随着生长的持续，B2型Al-PD型AL-PD的细晶体在非定形基质中形成。种子实现了固相的非晶态。已知会发生在各种二元系统中，但是在大多数情况下，诸如混合热量等条件是一个负值，绝对值较大，并且可以满足较大的原子半径差。但是，在某些系统（例如AL-PT系统）中，据报道，即使无法满足这些条件，也是由于离子照射，低温加热，冷滚动等而发生的固相无形化。此外，在这项研究中，发现Al/PD多层膜在室温附近的底物上的分子束沉积过程中经历固相非晶化。