パルス電流通電法による耐酸化性MoSi_2基超高温材料のその場合成

脉冲电流原位合成抗氧化MoSi_2基超高温材料

基本信息

  • 批准号:
    10875138
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.09万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 财政年份:
    1998
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1998 至 1999
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

ダイシリサイドは耐酸化性超高温材料の候補材の1種であるが、一般に融点が高いため溶融法での作製が困難であること、接合材料や複合材料の作製も容易にできることなどから、粉末冶金法による作製が有望である。本研究では、パルス電流通電による粒子間での放電現象の真偽について検討するとともに、作製したダイシリサイドの耐酸化性評価、さらに複合材料を想定した異種材料間での界面反応挙動ついて明かにするための実験を10-11年度にかけて行った。今年度は特に本方法で作製した各種ダイシリサイド焼結体の耐酸化性評価に関する研究を重点的に進めた。1.FeSi_2、CoSi_2、CrSi_2、Vsi_2、TaSi_2、NbSi_2、Wsi_2およびMoSi_2の耐酸化性評価を500℃から1500℃の温度範囲において行い、各ダイシリサイドにおける金属とSiの同時酸化が起きる温度領域を明らかにした。2.FeSi_2、CoSi_2、CrSi_2は1000℃以下の温度で優れた耐酸化性を有し、またMoSi_2は500℃±100℃を除く温度範囲で極めて優れた耐酸化性を示した。しかし、他のダイシリサイドでは500℃以上の温度範囲にわたって金属とSiの同時酸化が起こるため、優れた耐酸化性を示さなかった。3.MoSi_2の500℃±100℃における同時酸化には、材料の欠陥(ポアやクラック)および雰囲気の水蒸気が強い影響を及ぼしていることを明らかにした。4.パルス電流通電法により清浄で緻密なダイシリサイド焼結体およびその複合材料を作製することが可能であるが、特に耐酸化性超高温材料としてのポテンシャルが高いダイシリサイドはMoSi_2であることを明らかにした。
二胺是超高温度氧化材料的候选材料之一,但由于它通常具有高熔点,因此很难使用熔化方法制造,并且由于易于制造键合材料和复合材料,因此可以使用粉末冶金方法制造可以制造。在这项研究中,我们调查了由于脉冲电流流动引起的颗粒之间的排放现象的真实性和虚假性,并从2010年到2011年进行了实验,以评估制造的二酰酶的氧化抗性,以及揭示不同材料之间的种族反应行为,这是假定复合材料的。今年,我们专注于研究使用此方法产生的各种烧结二酰胺的氧化抗性的评估。 1。在500°C至1500°C的温度范围内评估了FESI_2,COSI_2,CRSI_2,VSI_2,TASI_2,NBSI_2,WSI_2,WSI_2,WSI_2,WSI_2和MOSI_2的氧化耐药性,以阐明每种金属和SI中的同时氧化的温度范围,以阐明该温度范围。 2.FESI_2,COSI_2和CRSI_2在低于1000°C的温度下具有出色的氧化耐药性,并且MOSI_2在温度范围内具有出色的氧化抗性,除了500°C±100°C。但是,由于金属和Si的同时氧化发生在500°C或更高的温度范围内,因此其他二酰胺不会表现出极好的氧化抗性。 3.这表明大气中的材料缺陷(孔和裂纹)和水蒸气对MOSI_2在500°C±100°C下同时氧化具有很强的影响。 4。可以通过脉冲电流传导来制造清洁和密集的二酰二酰胺及其复合材料,但已经揭示了MOSI_2是高潜在的二酰酰胺,是一种具有抗氧化的超高温度材料。

项目成果

期刊论文数量(7)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
黒川 一哉: "NbとMoSi_2の接合時における界面反応"プラズマ応用化学. 6. 84-89 (1998)
Kazuya Kurokawa:“Nb 和 MoSi_2 键合过程中的界面反应”等离子体应用化学。 6. 84-89 (1998)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
K.Kurokawa: "Fabrication of MoSi_2-Sic Composites by Spark Plasma Sintering"J. of Univ. of Sci. and Tech. Beijing. 6・2. 116-118 (1999)
K.黑川:“火花等离子烧结制备MoSi_2-Sic复合材料”,北京理工大学学报,116-118。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
K.Kurokawa: "Effects of sputter-doposited materials (W, Ti and SiC) on interfacial reaction between MoSi_2 and Nb"Proc. of Inter'l Sympo. on Applied Plasma Sci.. 2. 337-342 (1999)
K.Kurokawa:“溅射掺杂材料(W、Ti 和 SiC)对 MoSi_2 和 Nb 之间界面反应的影响”Proc。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
K.Kurokawa: "Oxidation behavior of fully dense MoSi_2-SiC Composites"Proc. of 14th Inter'l Corros. Congress. 1-8 (1999)
K.Kurokawa:“全致密MoSi_2-SiC复合材料的氧化行为”Proc。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
K.Kurokawa: "Low temperature oxidation of fully dense and porous MoSi_2"Maters. Sci. and Eng.. A261・1. 292-299 (1999)
K.Kurokawa:“全致密多孔 MoSi_2 的低温氧化”,Sci. and Eng.. 292-299 (1999)。
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