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化合物半導体の気相成長プロセスとドライエッチングプロセスの反応工学的比較検討
化合物半导体气相生长工艺与干法刻蚀工艺反应工程对比研究
基本信息
- 批准号：97J07861
- 负责人：
- 金额：$ 1.15万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for JSPS Fellows
- 财政年份：1998
- 资助国家：日本
- 起止时间：1998 至 1999
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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