Approaches to 10 times intensification of rare-earth doped materials: Identification of luminescence quenching factors using microwave absorption properties

稀土掺杂材料10倍增强的方法：利用微波吸收特性识别发光猝灭因子

• 批准号: 26420287
• 负责人: ISHII Masashi
• 金额: $ 3.24万
• 依托单位: National Institute for Materials Science
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2014
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2014-04-01 至 2017-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-26420287/
• 关键词: 希土類; マイクロ波; 蛍光体; 半導体; 伝搬係数; 高調波; 応答解析; ノイズ分析; ゆらぎ; 雑音解析; ガラス

项目成果

「光らなかった」過程を測る

衡量“不发光”的过程

• 发表时间: 2016
• 作者: 石井真史

Three-dimensional spectrum mapping of bright emission centers: investigating the brightness-limiting process in Er-doped GaN red LEDs

明亮发射中心的三维光谱映射：研究掺铒 GaN 红光 LED 的亮度限制过程

• DOI: 10.1063/1.4929531
• 发表时间: 2015
• 影响因子: 4
• 作者: M. Ishii; A. Koizumi;Y. Fujiwara
• 通讯作者: Y. Fujiwara

Discrimination between energy transfer and back transfer processes for GaAs host and Er luminescent dopants using electric response analysis

使用电响应分析区分 GaAs 主体和 Er 发光掺杂剂的能量转移和反向转移过程

• DOI: 10.1063/1.4870808
• 发表时间: 2014
• 影响因子: 3.2
• 作者: M. Ishii; A. Koizumi; Y. Takeda;Y. Fujiwara
• 通讯作者: Y. Fujiwara

Optoelectronic communications with GaN:Eu red LED: Messages from atomic scale emission centers

使用 GaN:Eu 红光 LED 进行光电通信：来自原子级发射中心的消息

• 发表时间: 2015
• 作者: M. Ishii

表界面物理計測グループ

表面与界面物理测量组