Research on development of new type-II hetero materials and device applications

新型II型异质材料开发及器件应用研究

• 批准号: 26420279
• 负责人: Nomura Ichirou
• 金额: $ 3.33万
• 依托单位: Sophia University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2014
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2014-04-01 至 2017-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-26420279/
• 关键词: InP基板; Ⅱ-Ⅵ族化合物半導体; タイプⅡヘテロ材料; 分子線エピタキシー; 伝導帯バンド不連続; 光デバイス; 共鳴トンネルダイオード; 負性抵抗; 負性微分抵抗; クラッド層; ショットキー; 分子線エピタキシー法; タイプⅡ超格子; 光吸収スペクトル; 光起電力; バンド不連続; レーザ; キャリア注入; ヘテロ界面; ダイオード; サブバンド間遷移; フォトルミネッセンス; ドーピング制御

项目成果

Investigation of p-side contact layers for II-VI compound semiconductor optical devices fabricated on InP substrates by MBE

通过 MBE 在 InP 衬底上制造 II-VI 族化合物半导体光学器件的 p 侧接触层的研究

• 发表时间: 2014
• 作者: Shingo Takamatsu; Ichirou Nomura; Tomohiro Shiraishi;Katsumi Kishino
• 通讯作者: Katsumi Kishino

InP基板上Ⅱ-Ⅵ族半導体レーザに向けたpクラッド層材料の検討

InP衬底II-VI族半导体激光器p包层材料的研究

• 发表时间: 2015
• 作者: 小林亮平;野村一郎;高松眞吾;白石智裕;福島浩二;岸野克巳
• 通讯作者: 岸野克巳

InP基板上II-VI族半導体光デバイスのp側電極抵抗低減に向けたコンタクト層及び電極材料の検討

InP衬底上降低II-VI族半导体光器件p侧电极电阻的接触层和电极材料研究

• 发表时间: 2014
• 作者: 高松眞吾;野村一郎;白石智裕;岸野克巳
• 通讯作者: 岸野克巳

Application of indium tin oxide to the p-cladding layers of yellow/green II-VI compound semiconductor laser diode structures on InP substrates

氧化铟锡在 InP 衬底上黄/绿 II-VI 化合物半导体激光二极管结构 p 包层中的应用

• 发表时间: 2015
• 作者: Koji Fukushima; Tomohiro Shiraishi; Ryohei Kobayashi; Katsumi Kishino;Ichirou Nomura
• 通讯作者: Ichirou Nomura

InP基板上Ⅱ-Ⅵ族半導体レーザのための酸化インジウムスズpクラッド層の検討

InP基片II-VI族半导体激光器氧化铟锡p包层的研究

• 发表时间: 2015
• 作者: 福島浩二;野村一郎;白石智裕;高松眞吾;小林亮平;岸野克巳
• 通讯作者: 岸野克巳