高電界を印加して生成させた石英ガラスの非線形分極相を利用した新型光メモリーの開発

利用施加高电场产生的石英玻璃非线性偏振相开发新型光学存储器

基本信息

批准号：
07750438
负责人：
亀山晃弘
金额：
$ 0.58万
依托单位：
University of Miyazaki
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1995
资助国家：
日本
起止时间：
1995 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-07750438/
关键词：
光メモリー石英ガラス電界分極 SHG X線照射欠陥

项目摘要

高電界を印加することにより第2高調波を発する石英ガラスを利用することで将来実用化されるであろう光コンピュータのメモリーを作成することができる。この現象には欠陥が関与しており、欠陥の役割が解明されれば、高性能の光メモリーを酸化シリコンのみから作ることができる。今回、その基礎実験として以下のことをおこなった。1、SHG相の生成及び消去直径20mm、厚さ1.2mmの溶融石英ガラスに260℃で4.8kVの電界を20分間印加すると、肉眼でも検知できる強いSHG信号を検出された。次に260℃で20分間放置するとSHG信号は完全に消去された。2、SHG信号強度の印加電圧、温度依存性印加電圧を変化させると、1kVまではSHG信号が検出されなかったので敷居値があることがわかった。また電圧に対してSHG信号は比例的に増加した。また温度を変化させると、100℃でSHG信号は検出された。これよりSHG相を生成する不純物が100℃で移動することがわかった。また260℃までほぼ比例的にSHG信号は増加していた。3、X線照射によって導入された欠陥とSHG相との相関そのままではSHG相が生成されない合成石英ガラスにCuKα線を照射すると溶融石英ガラス並のSHG信号を検出した。他の研究者らの報告と併せて判断するに酸化シリコンのSi-O-SiがX線により切断されSi-O・が生成されるためSHG相が生成されることがわかった。これよりX線と干渉マスクを使用することで酸化シリコン上に微細なSHG相のパターンを作成できる。以上より石英ガラスの非線形光学相を利用した光メモリーを開発するためのデータが得られた。

通过添加高功率字段，您可以通过使用发射第二个Hyperonic Wave的石英玻璃来创建一个光学计算机的内存，该计算机将来将来会实用。这种现象与缺陷有关，如果阐明了缺陷的作用，则只能由氧化硅创建高性能的光学记忆。这次，以下是作为基本实验进行的。 1。SHG相产生的SHG相，擦除直径为20 mm，厚度为1.2 mm。接下来，将其在260°C放置20分钟后，完全消除了SHG信号。 2。当更改SHG信号强度和温度依赖性电压的施加电压时，发现未检测到SHG信号的最高为1KV，因此有一个阈值。 SHG信号与电压成比例增加。当温度变化时，在100°C下检测到SHG信号。由此，发现在100°C下产生SHG相移动的杂质。 SHG信号几乎增加了成比例为260°C。 3。当X射线照射引入的缺陷与SHG相之间的相关性时，SHG相在未产生的合成石英玻璃上用Cukα -Ray辐照。结合其他研究人员的报告，发现氧化硅的Si-O-SI被X射线和SI-O断开，SHG阶段被产生。通过使用X射线和干涉掩模，可以在氧化硅上产生细细的SHG相模式。获得了使用石英玻璃的非线性光学部长来开发光学记忆的数据。