高電界を印加して生成させた石英ガラスの非線形分極相を利用した新型光メモリーの開発

利用施加高电场产生的石英玻璃非线性偏振相开发新型光学存储器

• 批准号: 07750438
• 负责人: 亀山 晃弘
• 金额: $ 0.58万
• 依托单位: University of Miyazaki
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1995
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1995 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-07750438/
• 关键词: 光メモリー; 石英ガラス; 電界分極; SHG; X線照射; 欠陥

高電界を印加することにより第2高調波を発する石英ガラスを利用することで将来実用化されるであろう光コンピュータのメモリーを作成することができる。この現象には欠陥が関与しており、欠陥の役割が解明されれば、高性能の光メモリーを酸化シリコンのみから作ることができる。今回、その基礎実験として以下のことをおこなった。1、SHG相の生成及び消去直径20mm、厚さ1.2mmの溶融石英ガラスに260℃で4.8kVの電界を20分間印加すると、肉眼でも検知できる強いSHG信号を検出された。次に260℃で20分間放置するとSHG信号は完全に消去された。2、SHG信号強度の印加電圧、温度依存性印加電圧を変化させると、1kVまではSHG信号が検出されなかったので敷居値があることがわかった。また電圧に対してSHG信号は比例的に増加した。また温度を変化させると、100℃でSHG信号は検出された。これよりSHG相を生成する不純物が100℃で移動することがわかった。また260℃までほぼ比例的にSHG信号は増加していた。3、X線照射によって導入された欠陥とSHG相との相関そのままではSHG相が生成されない合成石英ガラスにCuKα線を照射すると溶融石英ガラス並のSHG信号を検出した。他の研究者らの報告と併せて判断するに酸化シリコンのSi-O-SiがX線により切断されSi-O・が生成されるためSHG相が生成されることがわかった。これよりX線と干渉マスクを使用することで酸化シリコン上に微細なSHG相のパターンを作成できる。以上より石英ガラスの非線形光学相を利用した光メモリーを開発するためのデータが得られた。

通过使用通过应用高电场来发出第二个谐波的石英玻璃，可以为光学计算机创建内存，以将来将其用于实际用途。这种现象涉及缺陷，一旦理解了缺陷的作用，就可以单独由氧化硅制成高性能的光学记忆。这次，我们进行了以下基本实验：1。当将4.8 kV的电场应用于熔融二氧化硅玻璃，直径为20 mm，在260°C下的厚度为20分钟，厚度为1.2 mm，持续20分钟，可以检测到肉眼可以检测到的强SHG信号。接下来，在260°C离开20分钟时完全消除了SHG信号。 2。当更改SHG信号强度的施加电压和施加的电压时，未检测到SHG信号的最高为1KV，因此发现有阈值值。此外，SHG信号相对于电压成比例增加。此外，当温度改变时，在100°C下检测到SHG信号。这表明产生SHG相的杂质在100°C迁移。此外，SHG信号几乎比例增加到260°C。 3。如果没有X射线照射引入的缺陷之间的相关性，合成石英玻璃不会产生SHG相，则在辐照CUKα射线时检测到与熔融二氧化硅玻璃相当的SHG信号。结合其他研究人员的报道，发现氧化硅中的Si-O-SI通过X射线切割以产生Si-O-·，并产生SHG相。通过使用X射线和干涉掩模，可以在氧化硅上产生SHG相的细观图案。从以上，已经获得了使用石英玻璃的非线性光相的光学记忆数据。