重水素添加光CVD法による超高濃度・高品質Si薄膜の低温結晶成長

采用加氘光学CVD法低温晶体生长超高浓度、高质量Si薄膜

基本信息

  • 批准号:
    03750213
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 0.58万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 财政年份:
    1991
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1991 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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