Optische in situ-Spektroskopie zur elektronischen und ionischen Fehlordnung in Silikaten mit Olivinstruktur

橄榄石结构硅酸盐中电子和离子无序的光学原位光谱

基本信息

批准号：
5217166
负责人：
Professor Dr. Klaus Dieter Becker
金额：
--
依托单位：
Institut für Physikalische und Theoretische Chemie
依托单位国家：
德国
项目类别：
Research Grants
财政年份：
1999
资助国家：
德国
起止时间：
1998-12-31 至 2003-12-31
项目状态：
已结题

来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5217166?language=en
关键词：
Optische situ Spektroskopie zur elektronischen

项目摘要

Ziel des Vorhabens ist die Aufklärung der mikroskopischen Natur von elektronischen Defekten und ionischer Lagefehlordnung (Kationenverteilung) in Olivinen (M,Mg)2SiO4 (M = Fe,Co). Dabei sollen neben den temperaturabhängigen Gleichgewichtseigenschaften der beiden Fehlordnungstypen auch deren kinetische Eigenschaften bei hohen Temperaturen untersucht werden. In Fe2SiO4 und Co2SiO4 sollen elektronische Gitterfehler anhand der ihnen eigenen Sauerstoffpartialdruckabhängigkeit der defektinduzierten optischen Absorption identifiziert werden. In Relaxationsexperimenten mit Sprüngen im Sauerstoffpartialdruck sollen die Kinetik der Stöchiometrieeinstellung, die mit der Diffusion der elektronischen Defekte verbunden ist, ermittelt und die richtungsabhängigen Defekt-Diffusionskoeffizienten bestimmt werden. In Olivin-Mischkristallen (M,Mg)2SiO4 soll die Temperaturabhängigkeit der Verteilung der zweiwertigen Kationen auf den unterschiedlichen Gitterlagen der Silikat-Struktur ermittelt werden. In Relaxationsexperimenten mit Temperatursprüngen soll die temperaturabhängige Kinetik der Kationenumverteilung ermittelt werden. Sowohl die Untersuchungen zur Kationenverteilung als auch die zur elektronischen Fehlordnung sollen in situ in Hochtemperaturexperimenten an orientierten Einkristallen mit polarisiertem Licht ausgeführt werden.

Ziel des Vorhabens Ist DieAufklärungderMikroskopischen Natur Von Elektronischen Defekten und Ionischer Lagefehlordnung（Kationenverteilung）（M，M，MG）2SIO4（MG）2SIO4（MG） dabei sollen neben dendempaturabhängigengleichgewichtseigenschaften der beiden fehlordnungstypen auch deren kinetische eigentische eigenschaften bei hohen bei hohen hohen temperaturen weveraturen untersucht werden。在FE2SIO4和CO2SIO4中，Sollen Elektronische gitterfehler anhand der Ihnen eigenensauerstoffpartialldruckabhängigkeitder defektinduzierten optischenen optischenenten optischenenten optischenenten optischen optischen optischen optischen sidefifiziert werden。在放松中，Xperimenten mitsprüngenim sauerStoffpartialdruck sollen die kinetik derstöchiometrieeinstellung，模仿der der deffusion der der elektronischen defekte defekte verbunden ist，ermittelt，ermittelt un emmittelt und diedietungsabhängigendefekt defekt-defekt-diffiffizeenen fexten fexten。在Olivin-Mischkristallen（M，MG）2SIO4 Soll Die diedepaturabhängigkeitder der der der perteilung der zweiwertigen kationen auf den unterschiedlichen gitterlichen gitterlichen der Silikat-struktur ermittelt werden。在放松中，sexperimenten mit温度solls soll diedeverturabhängigekinetik der kationenumverteilung ermittelt werden。 Sowohl Die Untersuchungen Zur Kationenverteilung als auch auch auch zur elektronischen fehlordnung sollen sollen ost hochtemperature experimenten a inotientierten einkristalen einkristallen einkristallen mit mit polerisiertemiertemiertemiertemlichtemgeführtausgeführtwerden。