過渡容量法によるInGaAs混晶およびヘテロ接合界面の深い準位の評価
采用瞬态电容法评估InGaAs混晶与异质结界面的深层次
基本信息
- 批准号：61750288
- 负责人：
- 金额：$ 0.58万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
- 财政年份：1986
- 资助国家：日本
- 起止时间：1986 至 无数据
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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