次世代超伝導体における人工ピンニングセンターの設計・導入に関する基礎的研究

下一代超导体人工钉扎中心设计与实现的基础研究

基本信息

批准号：
08750372
负责人：
原田直幸
金额：
$ 0.64万
依托单位：
Yamaguchi University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1996
资助国家：
日本
起止时间：
1996 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

超伝導材料の臨界電流密度を向上させるためには、超伝導体内部で量子化された磁束格子を効率よくピン止めするピンニングセンターを導入する必要がある。本研究では、次世代超伝導材料の臨界電流密度の向上を目的として、次世代超電導材料であるNb_3AlやBi系酸化物超伝導体に対して、塑性加工などの従来の経験的手法によらずにピンニングセンターを導入する手法を提案するための基礎的研究を行った。研究の結果、以下に示す知見が得られた。1.Nb_3Al超伝導テープ線材を作製し、到達温度をコントロールする通電加熱法を用いることにより、臨界温度が高いNb_3Alを作製し、実用レベルに近い臨界電流密度を得た。2.Nb_3Al超伝導テープ線材の微視的構造と臨界電流密度特性を比較・検討した結果、中間化合物であるσ相の析出により、高磁界における臨界電流密度特性が変化することが示された。これは、σ相が人工的に導入するためのピンニングセンターの1つとして有効に作用する可能性を示すものである。今後、臨界電流密度の定量的な評価を行い、特性の詳細な検討を行う予定である。3.将来、酸化物超伝導体にピンニングセンターを導入するために有効と考えられるプラズマ溶射法を用いて、Bi_2Sr_2CaCu_2O_x酸化物超伝導膜の作製を行った。今まで十分に明らかにされれいなかった溶射条件や生成熱処理条件を明らかにし、熱伝導特性との比較検討を行った。今後、溶射時にピンニングセンターとなる材料を導入するために必要となる標準試料の作製が可能となった。

为了提高超导材料的临界电流密度，有必要引入一个固定中心，该中心有效地将量化的磁晶格固定在超导体内。在这项研究中，为了改善下一代超导材料的临界电流密度，下一代超导材料NB_3AL和基于BI的氧化物超导体并不是由于常规的体验方法（例如塑料处理）。提出了一种引入固定中心的方法。由于研究的结果，获得了以下知识。 1。NB_3AL超级导电胶带材料，通过使用雌雄同体的加热方法来控制达到达到温度，并获得了高度制作的NB_3AL，并获得了接近实际水平的临界电流密度。 2。比较和检查NB_3AL超导胶带材料与临界电流密度特征的显微镜结构，这表明，由于中间化合物的类比，高磁场的临界电流密度变化，这是一个中间体化合物。这表明该阶段有效地充当人为引入的固定中心之一的可能性。将来，我们将对临界电流密度进行定量评估，并对特征进行详细检查。 3。将来，使用等离子体 - 溶剂方法制成BI_2SR_2CACU_2O_X氧化物超级行为膜，该方法被认为有效地将固定中心引入氧化物超导体中。我们阐明了到目前为止尚未清楚揭示的熔融条件和热处理条件，并将其与导热率进行了比较。将来，有可能创建所需的标准样本来引入在解决方案期间成为固定中心的材料。