塩化鉄-窒化ホウ素層間化合物のメスバウァー分光法および磁化率測定による研究
使用穆斯堡尔谱和磁化率测量研究氯化铁-氮化硼插层化合物
基本信息
- 批准号：X00210----174161
- 负责人：
- 金额：$ 0.19万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
- 财政年份：1976
- 资助国家：日本
- 起止时间：1976 至 无数据
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
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大橋 憲太郎其他文献
モザイク様ペルオキシソームを生じるPEX3変異細胞ではペルオキシソームの周期的な生合成が起こっている
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- 影响因子：0
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酒井 滋樹
Pt/SrBi2Ta209/HfO2/Si MFIS FETへのSiN層挿入の効果
将 SiN 层插入 Pt/SrBi2Ta2O9/HfO2/Si MFIS FET 中的效果
- DOI：
- 发表时间：
2007 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
堀内 健史;嵩橋 光恵;Shouyu Wang;Qiu-Hong Li;齊藤 丈靖;大橋 憲太郎;酒井 滋樹 - 通讯作者：
酒井 滋樹
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- DOI：
- 发表时间：
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- 影响因子：0
- 作者：
高橋 貫人 ;平田 洋子 ;大橋 憲太郎 - 通讯作者：
大橋 憲太郎
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