電子ビーム蒸着によるAl_2O_3薄膜の製作と化合物半導体界面の電子的性質の研究

电子束蒸发Al_2O_3薄膜制备及化合物半导体界面电子特性研究

基本信息

批准号：
X00040----220324
负责人：
岡崎進
金额：
$ 1.6万
依托单位：
Okayama University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Special Project Research
财政年份：
1977
资助国家：
日本
起止时间：
1977 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-X00040----220324/
关键词：

项目摘要

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