Development of low temperature formation for group IV crystalline semiconductor film on insulating substrate by catalytic crystallization method
催化晶化法在绝缘衬底上低温形成IV族晶体半导体薄膜的研究进展
基本信息
- 批准号：26870815
- 负责人：
- 金额：$ 2.5万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2014
- 资助国家：日本
- 起止时间：2014-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（35）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
面方位制御した結晶Ge薄膜の極低温誘起成長
具有受控面取向的晶态Ge薄膜的低温诱导生长
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：鈴木香寿恵;徳永旭将;平沢尚彦;門崎学;山内恭;野満 建至， 岡本 隼人， 工藤 康平， 坂口 大成， 高倉 健一郎， 角田 功
- 通讯作者：野満 建至， 岡本 隼人， 工藤 康平， 坂口 大成， 高倉 健一郎， 角田 功
Au induced low-temperature formation of perferentially (111)-oriented crystalline Ge on insulator
Au 诱导绝缘体上低温形成择优 (111) 取向的晶体 Ge
- DOI：10.7567/jjap.55.04ej10
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：岡本 隼人， 工藤 康平， 野満 建至， 高倉 健一郎， 角田 功
- 通讯作者：岡本 隼人， 工藤 康平， 野満 建至， 高倉 健一郎， 角田 功
Preferentially (111) Oriented Crystalline Ge by Low Temperature (~200 ℃) Au Induced Solid Phase Crystallization
低温（~200 ℃）Au诱导固相结晶优先（111）取向晶体Ge
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：苗村智行;都築俊介;西山悠;工藤 康平，餅井 亮介，野満 建至，高倉 健一郎，角田 功
- 通讯作者：工藤 康平，餅井 亮介，野満 建至，高倉 健一郎，角田 功
非晶質Ge薄膜のAu誘起成長に及ぼす熱処理温度の影響（２）－Au膜厚依存性－
热处理温度对非晶Ge薄膜Au诱导生长的影响(2)-Au膜厚依赖性-
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：鈴木 香寿恵 ;本山 秀明 ;山内 恭;榎本 浩之;田村 岳史;飯塚 芳徳;樋口 知之;工藤 康平， 野満 建至， 餅井 亮介， 岡本 隼人， 高倉 健一郎， 角田 功
- 通讯作者：工藤 康平， 野満 建至， 餅井 亮介， 岡本 隼人， 高倉 健一郎， 角田 功
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Low temperature formation of orientation controlled crystalline group IV semiconductor on insulating substrate by using metal induced crystallization method
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17K06363 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
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