Ultra-low power magnetization switching technology for magnetic tunnel junctions using inverse magnetostrictive effect

利用反磁致伸缩效应的磁隧道结超低功耗磁化切换技术

• 批准号: 26870192
• 负责人: Takamura Yota
• 金额: $ 2.5万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2014
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2014-04-01 至 2016-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-26870192/
• 关键词: 逆磁歪効果; 磁気抵抗変化素子; スピントランスファートルク; ＭＲＡＭ; スピン注入磁化反転; スピントロニクス; サマリウム鉄; 超磁歪; 圧電体; 逆ピエゾ効果

项目成果

Inverse-magnetostriction-induced switching current reduction of STT-MTJs and its application for low-voltage MRAMs

STT-MTJ 的逆磁致伸缩引起的开关电流降低及其在低压 MRAM 中的应用

• DOI: 10.1109/ulis.2016.7440055
• 发表时间: 2016
• 期刊: 2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon
• 作者: Y. Takamura;Y. Shuto;S. Yamamoto;H. Funakubo;M. K. Kurosawa;S. Nakagawa;S. Sugahara.
• 通讯作者: S. Sugahara.

In-situ internal stress observation of ferromagnetic thin films at the initial stage of the film growth during sputter-deposition process

溅射沉积铁磁薄膜生长初期的内应力原位观察

• 发表时间: 2015
• 作者: H. Hayashibara;M. Nakagome;Y. Takamura;S. Nakagawa
• 通讯作者: S. Nakagawa

Inverse-magnetostriction-induced switching current reductionfor spin-transfer torque MTJs

自旋转移矩 MTJ 的逆磁致伸缩引起的开关电流减小

• 发表时间: 2015
• 作者: Yota Takamura ; Shigeki Nakagawa ; Satoshi Sugahara
• 通讯作者: Satoshi Sugahara

Origin of Perpendicular Magnetic Anisotropy of [Co2MnSi/Pd]n Superlattice Films on Various Substrates

各种基底上[Co2MnSi/Pd]n超晶格薄膜垂直磁各向异性的起源

• 发表时间: 2015
• 作者: Shigeki Nakagawa;Yota Takamura
• 通讯作者: Yota Takamura

対向ターゲット式スパッタ法を用いた垂直磁気異方性を有するCo2FeSi/MgO及びMgO/Co2FeSi構造の作製と評価

面向靶溅射法制备和评估具有垂直磁各向异性的Co2FeSi/MgO和MgO/Co2FeSi结构

• 发表时间: 2014
• 作者: 鈴木隆寛;篠原光貴;高村陽太;中川茂樹.
• 通讯作者: 中川茂樹.