Development of large STT microwave oscillation magnet with coherent phase-locking

大型相干锁相STT微波振荡磁体研制

• 批准号: 21246049
• 负责人: SAHASHI Masashi
• 金额: $ 28.04万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-21246049/
• 关键词: 電気・電子材料(半導体、誘電体、磁性体、超誘電体、有機物、絶縁体、超伝導体など); マイクロ波発振磁性体; ナノ接点; 強磁性体; スピンバルブ構造; 狭窄磁壁; スピントランスファー; マイクロ波発振; スピントロニクス; 自己組織化; ナノ狭窄構造; スピン伝導; スピントランスファートルク; スピンダイナミクス; ナノ狭窄磁壁; ナノオキサイド層; MR変化率

We have succeeded in obtaining good oscillation power in terms of magnetoresistance ratio with the confined domain wall type magnetoresistive devices, where ~ 1μW(Q=200)and 0. 2μW(Q=600)were confirmed in vortex structure and near anti-parallel state, respectively. These high level oscillations could be explained by Auto-Oscillation model, which means that larger power oscillation with higher Q-value is realized by decreasing threshold current to auto-oscillation mode. In addition, the high sensitivity of 1. 5V/W in STT-FMR measurement was obtained in the confined domain wall MR devices. So, good transmitter/receiver performance of the miniaturized confined domain wall MR devices was verified in this study, leading to realization of wireless chip to chip communication (wireless 3D packaging).

我们已经成功地利用受限畴壁型磁阻器件获得了良好的磁阻比振荡功率，其中~1μW(Q=200)和0. 2μW(Q=600)在涡旋结构和近反平行状态下得到证实这些高电平振荡可以通过自动振荡模型来解释，这意味着通过降低Q值可以实现更大的功率振荡。此外，在受限畴壁MR器件中获得了1. 5V/W的高灵敏度，因此小型化受限畴壁MR器件具有良好的发射器/接收器性能。本研究验证了这一点，从而实现了无线芯片到芯片通信（无线3D封装）。

项目成果

High Level Oscillation With Narrow Linewidth in Magnetic Nano-Contact Spin Torque Oscillator With Synthetic AF Spin- Valve Structure

合成AF自旋阀结构磁纳米接触自旋扭矩振荡器的窄线宽高能级振荡

• 发表时间: 2009
• 期刊: IEEE Trans.Magn. 45, No.10
• 作者: K.Takaki;N.Yamazaki;S.Mukaigawa;T.Fujiwara;H.Kofujita;K.Takahasi;M.Narimatsu;K.Nagane;Hiroaki Endo
• 通讯作者: Hiroaki Endo

Onset of Spin-Scattering-Asymmetry for Nano-Contacts in Ion-Assisted-Oxidation NCMR Devices

离子辅助氧化 NCMR 器件中纳米接触的自旋散射不对称性的开始

• 发表时间: 2010
• 作者: I.Suemune;Y.Idutsu;M.Takada;D.Kato;S.Ida;J.-H.Huh;H.Sasakura;H.Kumano;Y.Harada;Yohei Shiokawa
• 通讯作者: Yohei Shiokawa

Grain Growth of Cr2O3 Thin Film Layer on Exchange Coupling of Cr2O3/Co Interface

Cr2O3/Co界面交换耦合Cr2O3薄膜层的晶粒生长

• 发表时间: 2012
• 期刊: IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS
• 影响因子: 2.1
• 作者: T.Nozaki;N.Shimomura;T.Ashida;Y.Sato;M.Sahashi
• 通讯作者: M.Sahashi

Fe/AlOx-NOLを用いたDWMR素子におけるマイクロ波発振

使用 Fe/AlOx-NOL 的 DWMR 装置中的微波振荡

• 发表时间: 2009
• 作者: S.Kidera;T.Sakamoto;T.Sato;M.Tsuda;田中俊行
• 通讯作者: 田中俊行

Large spin scattering asymmetry of fully epitaxial film with Alternated Monatomic [Fe/Co]n layered CPP-GMR spin valve devices

采用交替单原子 [Fe/Co]n 层状 CPP-GMR 自旋阀器件的全外延薄膜的大自旋散射不对称性

• 发表时间: 2010
• 作者: X. Yi;G. Nakagawa;H. Ozawa;T. Fujigaya;N. Nakashima;and T. Asano;JinWon Jung
• 通讯作者: JinWon Jung