Formation of Ohmic contact for diamond semiconductor with nanocrystalline diamond interlayers
具有纳米晶金刚石中间层的金刚石半导体欧姆接触的形成
基本信息
- 批准号：16K18238
- 负责人：
- 金额：$ 2.66万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（19）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Study on Defects in Ultrananocrystalline Diamond/Amorphous Carbon Composite Films Prepared by Physical Vapor Deposition
物理气相沉积法制备超纳米晶金刚石/非晶碳复合薄膜的缺陷研究
- DOI：10.1149/07525.0045ecst
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Katamune;S. Al-Riyami;S. Takeichi;and T. Yoshitake
- 通讯作者：and T. Yoshitake
熱フィラメントCVD法による有機リン溶液を用いた ダイヤモンドの成長速度異方性の調査
热丝CVD法研究有机磷溶液金刚石生长速率各向异性
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Katamune;D. Arikawa;D. Mori;and A. Izumi;熱フィラメントCVD法により有機リン溶液を用いて作製した多結晶ダイヤモド膜の構造評価;森大地，有川大輔，片宗優貴，和泉亮
- 通讯作者：森大地，有川大輔，片宗優貴，和泉亮
HF-CVD法によるダイヤモンド膜の形成におけるSiCN中間層の検討
HF-CVD法金刚石薄膜SiCN中间层的研究
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：田渕賢史朗;堀出朋哉;松本要;片宗優貴，森寛人，和泉亮
- 通讯作者：片宗優貴，森寛人，和泉亮
Diamond growth with SiCN interlayer by hot Filament chemical vapor deposition
通过热丝化学气相沉积法生长 SiCN 中间层的金刚石
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yuki Katamune;Hiroto Mori;Akira Izumi
- 通讯作者：Akira Izumi
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Katamune Yuki其他文献
熱フィラメントCVD法によるn型ダイヤモンドの成長と高濃度ドーピング
热丝CVD法生长n型金刚石及高浓度掺杂
- DOI：
- 发表时间：
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- 影响因子：0
- 作者：
Katamune Yuki;Izumi Akira;Ichikawa Kimiyoshi;Koizumi Satoshi;片宗 優貴，和泉 亮，市川 公善，小泉 聡 - 通讯作者：
片宗 優貴，和泉 亮，市川 公善，小泉 聡
Heavy phosphorus doping of diamond by hot-filament chemical vapor deposition
热丝化学气相沉积金刚石重磷掺杂
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- 影响因子：4.1
- 作者：
Katamune Yuki;Izumi Akira;Ichikawa Kimiyoshi;Koizumi Satoshi - 通讯作者：
Koizumi Satoshi
Electrical properties of boron-incorporated ultrananocrystalline diamond/hydrogenated amorphous carbon composite films
掺硼超纳米晶金刚石/氢化非晶碳复合薄膜的电学性能
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- 影响因子：0
- 作者：
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Yoshitake Tsuyoshi
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- 资助金额：
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