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Heavy-ion induced current in Tunnel FET
隧道 FET 中的重离子感应电流
基本信息
- 批准号：16K18094
- 负责人：
- 金额：$ 2.66万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（5）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
LDD構造を用いたトンネルFET ベースCMOS回路においての耐放射線性評価
使用 LDD 结构评估基于隧道 FET 的 CMOS 电路的耐辐射性
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Manoharan Muruganathan;Jian Sun and Hiroshi Mizuta;呉 研
- 通讯作者：呉 研
トンネルFET ベースCMOS回路のシングルイベント耐性
基于隧道 FET 的 CMOS 电路的单粒子耐受性
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Marek Schmidt;Ahmed Hammam;Manoharan Muruganathan;Shinichi Ogawa and Hiroshi Mizuta;呉 研
- 通讯作者：呉 研
The Impact of Tunnel FET on Heavy Ion Induced Transient Effect
隧道 FET 对重离子瞬态效应的影响
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：岩﨑 拓哉;Taharh Zelai;Sheng Ye;Harold M. H. Chong;土屋 良重;水田 博;Yan Wu
- 通讯作者：Yan Wu
Formation of Magnesium Silicide for Source Material in Si based Tunnel FET by Annealing of Mg/Si Thin Film Multi-Stacks
通过 Mg/Si 薄膜多层退火形成硅化镁作为硅基隧道 FET 的源材料
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Jothiramalingam Kulothungan;Manoharan Muruganathan;Marek Schmidt and Hiroshi Mizuta;Yan Wu
- 通讯作者：Yan Wu
微細SOIデバイスの重イオン照射誘起寄生バイポーラ効果抑制
微型 SOI 器件中重离子辐照引起的寄生双极效应的抑制
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：和田雄友;呉研;高橋芳浩
- 通讯作者：高橋芳浩
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