Development of crystal defect revelation technique for next-generation power semiconductor material Ga2O3

开发下一代功率半导体材料Ga2O3晶体缺陷揭示技术

基本信息

  • 批准号:
    16K17516
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.75万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份:
    2016
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2016-04-01 至 2018-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(3)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
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专利数量(0)
Characterization of EFG-grown β-Ga2O3 single crystal by using Synchrotron X-ray topography, X-ray diffraction and Raman
使用同步加速器 X 射线形貌、X 射线衍射和拉曼表征 EFG 生长的 β-Ga2O3 单晶
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. N. K. Phan;K. Kato;K. Takano;M. Yoshimura;H. Azechi;M. Nakajima;姚永昭
  • 通讯作者:
    姚永昭
2018年度JFCC研究成果集 (ポスターR10)
2018 年 JFCC 研究成果(海报 R10)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
放射光X線トポグラフィ、X線回折およびラマンを用いたEFG法β-酸化ガリウム単結晶の評価
使用同步辐射 X 射线形貌、X 射线衍射和拉曼的 EFG 方法评价 β-氧化镓单晶
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    足立俊輔;S. Grebenshchikov;佐藤元樹;鈴木俊法;姚永昭
  • 通讯作者:
    姚永昭
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    $ 2.75万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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