Development of crystal defect revelation technique for next-generation power semiconductor material Ga2O3
开发下一代功率半导体材料Ga2O3晶体缺陷揭示技术
基本信息
- 批准号:16K17516
- 负责人:
- 金额:$ 2.75万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份:2016
- 资助国家:日本
- 起止时间:2016-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(3)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Characterization of EFG-grown β-Ga2O3 single crystal by using Synchrotron X-ray topography, X-ray diffraction and Raman
使用同步加速器 X 射线形貌、X 射线衍射和拉曼表征 EFG 生长的 β-Ga2O3 单晶
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. N. K. Phan;K. Kato;K. Takano;M. Yoshimura;H. Azechi;M. Nakajima;姚永昭
- 通讯作者:姚永昭
放射光X線トポグラフィ、X線回折およびラマンを用いたEFG法β-酸化ガリウム単結晶の評価
使用同步辐射 X 射线形貌、X 射线衍射和拉曼的 EFG 方法评价 β-氧化镓单晶
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:足立俊輔;S. Grebenshchikov;佐藤元樹;鈴木俊法;姚永昭
- 通讯作者:姚永昭
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