High performance and controlling optical polarization for unpolar optical devices using hetero middle layer

使用异质中间层的非极性光学器件的高性能和控制光学偏振

基本信息

  • 批准号：
    16K17514
  • 负责人：
    Okada Narihito
  • 金额：
    $ 2.66万
  • 依托单位：
    Yamaguchi University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份：
    2016
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2016-04-01 至 2019-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（12）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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  • DOI：
  • 发表时间：
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
  • 通讯作者：
緩和した厚膜InGaNの成長とその評価 ３
弛豫厚膜InGaN的生长及其评价3
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    猪股 祐貴;河村 澪;中島 慎太郎;板倉 秀之;藤本 怜;池内 裕紀;岡田 成仁;只友 一行
  • 通讯作者：
    只友 一行
Fabrication and evaluation of multiple-quantum wells on high-quality relaxed InGaN template fabricated by combination of ELO and CMP
ELO 和 CMP 相结合的高质量松弛 InGaN 模板上多量子阱的制作和评估
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Yuki Inomata;Hideyuki Itajura;Satoru Fujimoto;Narihito Okada;and Kazuyuki Tadatomo
  • 通讯作者：
    and Kazuyuki Tadatomo
Rensselaer Polytechnic Institute/Yale University(米国)
伦斯勒理工学院/耶鲁大学（美国）
  • DOI：
  • 发表时间：
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
  • 通讯作者：
半極性InGaN/GaN量子井戸の表面プラズモン共鳴による発光増強
半极性 InGaN/GaN 量子阱的表面等离子体共振发射增强
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    亀谷 純;中村 俊樹;村尾 文弥;松山 哲也;和田 健司;岡田 成仁;只友 一行;岡本 晃一
  • 通讯作者：
    岡本 晃一
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Okada Narihito其他文献

Identification of fine structures at the surface of epi-ready GaN wafer observed by confocal differential interference contrast microscopy
通过共焦微分干涉显微镜观察外延就绪 GaN 晶圆表面精细结构的识别
  • DOI：
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  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Ishikawa Yukari;Sugawara Yoshihiro;Sato Koji;Yao Yongzhao;Okada Narihito;Tadatomo Kazuyuki
  • 通讯作者：
    Tadatomo Kazuyuki
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  • DOI：
  • 发表时间：
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  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
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  • 通讯作者：
    Koichi Okamoto
Anisotropic radius of curvature of crystal planes in wide-bandgap semiconductor wafers measured by X-ray diffraction
X射线衍射测量宽带隙半导体晶片晶面各向异性曲率半径
  • DOI：
    10.35848/1347-4065/ac3a20
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Yao Yongzhao;Sugawara Yoshihiro;Yokoe Daisaku;Hirano Keiichi;Okada Narihito;Tadatomo Kazuyuki;Sasaki Kohei;Kuramata Akito;Ishikawa Yukari
  • 通讯作者：
    Ishikawa Yukari
Growth of GaN and improvement of lattice curvature using symmetric hexagonal SiO2 patterns in HVPE growth
在 HVPE 生长中使用对称六方 SiO2 图案生长 GaN 并改善晶格曲率
  • DOI：
    10.7567/1347-4065/ab1125
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Fujimoto Satoru;Itakura Hideyuki;Tanikawa Tomoyuki;Okada Narihito;Tadatomo Kazuyuki
  • 通讯作者：
    Tadatomo Kazuyuki

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  • 通讯作者：
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