Development of wide-bandgap oxide epitaxial thin films by multi-wavelength excimer laser processing and substrates modification

通过多波长准分子激光加工和衬底改性开发宽带隙氧化物外延薄膜

基本信息

批准号：
15K20988
负责人：
Matsuda Akifumi
金额：
$ 2.66万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
起止时间：
2015-04-01 至 2019-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（34）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

レーザプロセスによるワイドギャップβ-Ga2O3薄膜の低温エピタキシー

激光低温外延宽禁带β-Ga2O3薄膜

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
松田晃史;塩尻大士;福田大二;内田啓貴;土嶺信男;金子智;吉本護
通讯作者：
吉本護

Room-temperature solid-phase epitaxial growth of β-Ga2O3 thin films on NiO-buffered sapphire (0001) substrates by KrF excimer laser annealing

通过 KrF 准分子激光退火在 NiO 缓冲蓝宝石 (0001) 衬底上室温固相外延生长 β-Ga2O3 薄膜

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
Daishi Shiojiri;Daiji Fukuda;Nobuo Tsuchimine;Koji Koyama;Satoru Kaneko;Akifumi Matsuda;and Mamoru Yoshimoto
通讯作者：
and Mamoru Yoshimoto

UV光励起を使ったワイドギャップβ-Ga2O3エピタキシャル薄膜の室温合成

利用紫外光激发室温合成宽禁带 β-Ga2O3 外延薄膜

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
森田　公之;大賀　友瑛;土嶺　信男;金子　智;松田　晃史;吉本　護
通讯作者：
吉本　護

Solid-Phase Heteroepitaxy and Property Modification of β-Ga2O3 Thin Films by Room-Temperature Excimer Laser Annealing

室温准分子激光退火对 β-Ga2O3 薄膜的固相异质外延及性能改性

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Akifumi Matsuda;Kisho Nakamura;Hiroyuki Morita;Nobuo Tsuchimine;Satoru Kaneko and Mamoru Yoshimoto
通讯作者：
Satoru Kaneko and Mamoru Yoshimoto

Buffer-layer Enhanced Heteroepitaxy of Wide-bandgap Semiconductor Thin Films by Room-temperature Laser Processing

室温激光加工缓冲层增强宽带隙半导体薄膜异质外延

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
中村稀星;内田啓貴;土嶺信男;金子智;松田晃史;吉本護;Akifumi Matsuda and Mamoru Yoshimoto;Akifumi Matsuda and Mamoru Yoshimoto
通讯作者：
Akifumi Matsuda and Mamoru Yoshimoto

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Matsuda Akifumi其他文献

エキシマレーザーアニーリングによる不純物ドープGa2O3薄膜の固相結晶化および特性評価

准分子激光退火掺杂Ga2O3薄膜的固相结晶及表征

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Seo Okkyun;Tayal Akhil;Kim Jaemyung;Song Chulho;Chen Yanna;Hiroi Satoshi;Katsuya Yoshio;Ina Toshiaki;Sakata Osami;Ikeya Yuki;Takano Shiori;Matsuda Akifumi;Yoshimoto Mamoru;甲斐稜也・渡邉一樹・大賀友瑛・金子智・松田晃史・吉本護;渡邉一樹・甲斐稜也・大賀友瑛・金子智・松田晃史・吉本護
通讯作者：
渡邉一樹・甲斐稜也・大賀友瑛・金子智・松田晃史・吉本護

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DOI：
10.1039/c9sm01832h
发表时间：
2019
期刊：
Soft Matter
影响因子：
3.4
作者：
Seo Okkyun;Kim Jaemyung;Tang Jiayi;Kumara L.S.R.;Kimoto Koji;Miki Kazushi;Matsuda Akifumi;Yoshimoto Mamoru;Sakata Osami;Yoshida Eri
通讯作者：
Yoshida Eri

テラヘルツ振動領域における表面増強ラマン散乱

太赫兹振动区域的表面增强拉曼散射

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
化学と工業
影响因子：
0
作者：
Seo Okkyun;Kim Jaemyung;Tang Jiayi;Kumara L.S.R.;Kimoto Koji;Miki Kazushi;Matsuda Akifumi;Yoshimoto Mamoru;Sakata Osami;池田勝佳
通讯作者：
池田勝佳

ゲート吸着型MOFを用いたCO2吸着分離プロセスの検討

门吸附型MOF吸附分离CO2工艺研究

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Chen Yanna;Sakata Osami;Morita Hiroyuki;Matsuda Akifumi;Jia Fanhao;Seo Okkyun;Kumara Loku Singgappulige Rosantha;Ina Toshiaki;Kobayashi Eiichi;Kim Jaemyung;Song Chulho;Hiroi Satoshi;Palina Natalia;Lou Yanfang;Ren Wei;Yoshimoto Mamoru;平出翔太郎
通讯作者：
平出翔太郎

室温でのパルスレーザー照射によるエピタキシャルβ-Ga2O3薄膜の作製とドーピングの影響

室温脉冲激光辐照外延β-Ga2O3薄膜的制备及掺杂的影响

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Seo Okkyun;Tayal Akhil;Kim Jaemyung;Song Chulho;Chen Yanna;Hiroi Satoshi;Katsuya Yoshio;Ina Toshiaki;Sakata Osami;Ikeya Yuki;Takano Shiori;Matsuda Akifumi;Yoshimoto Mamoru;甲斐稜也・渡邉一樹・大賀友瑛・金子智・松田晃史・吉本護;渡邉一樹・甲斐稜也・大賀友瑛・金子智・松田晃史・吉本護;渡邉一樹・甲斐稜也・大賀友瑛・金子智・松田晃史・吉本護
通讯作者：
渡邉一樹・甲斐稜也・大賀友瑛・金子智・松田晃史・吉本護