Robustness of Three-Dimensional MOSFETs

三维 MOSFET 的鲁棒性

• 批准号: 18063009
• 负责人: IWAI Hiroshi
• 金额: $ 27.9万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18063009/
• 关键词: ばらつき; ゆらぎ; CMOS; ダブルゲート; FinFET; シリサイド; 感度解析; トランジスタ; 3次元構造; ロバストネス; 特性ばらつき; ショットキー; オン電流; MOSFET; 3次元; ショットキー接合; 数値解析; 三次元構造MOSFET; しきい値; Schottky source; drain; エネルギー障壁; 短チャネル効果; Niシリサイド

For the future large scale integrated circuit, new transistor with three-dimensional structures will be used in near future. However, variability of transistor characteristics, which is very significant problem on scaling down of device sizes, on the new type transistor has not been known well. In this work, comprehensive study of variability resulted from fluctuations of various device parameters was carried out, and proposed guiding principles for realizing robust transistors for the variability. In addition, a new process technology of silicide electrodes which will be useful to the robust transistors was developed.

对于未来的大规模集成电路，不久的将来将采用具有三维结构的新型晶体管。然而，对于新型晶体管来说，晶体管特性的可变性对于器件尺寸的缩小来说是一个非常重要的问题，但这一点还没有被人们所熟知。在这项工作中，对各种器件参数波动引起的变异性进行了全面研究，并提出了实现鲁棒晶体管的变异性的指导原则。此外，还开发了一种新的硅化物电极工艺技术，该技术将有助于实现坚固的晶体管。

项目成果

Schottky Barrier Height Modulation by Er Insertion and Its Application to SB-M OSFETs

Er 插入的肖特基势垒高度调制及其在 SB-M OSFET 中的应用

• 发表时间: 2008
• 作者: K. Noguchi;W. Hosoda;K. Matano;K. Kakushima;P. Ahmet;K. Tsutsu i;N. Sugii;A. N. Chandorkar;T. Hattori;and H. Iwai
• 通讯作者: and H. Iwai

Thermal stability of Ni silicide films on heavily doped n+ and p+ Si substrates

• DOI: 10.1016/j.mee.2008.04.001
• 发表时间: 2008-07
• 期刊: Microelectronic Engineering
• 影响因子: 2.3
• 作者: P. Ahmet;T. Shiozawa;K. Nagahiro;T. Nagata;K. Kakushima;K. Tsutsui;T. Chikyow;H. Iwai

ダブルゲート型およびプレーナー型MOSFETにおける構造バラつきの影響の比較検討

双栅型和平面型 MOSFET 结构变化影响的比较研究

• 发表时间: 2007
• 作者: 小林勇介;角嶋邦之;Ahmet P.;Rao V.R.;筒井一生;岩井 洋
• 通讯作者: 岩井 洋

2stepアニールを用いた酸化膜中のSiナノワイヤへのNiシリサイド化

使用两步退火在氧化膜中将镍硅化物形成硅纳米线

• 发表时间: 2009
• 作者: 茂森直登;新井英朗;佐藤創志;角嶋邦之;アヘメトパールハット;西山彰;筒井一生;杉井信之;服部健雄;岩井洋
• 通讯作者: 岩井洋

FinFETにおけるショートチャネル効果のフィン幅依存性

FinFET 中短沟道效应的鳍片宽度依赖性

• 发表时间: 2008
• 作者: 小林勇介;角嶋邦之;パールハットアヘメト;ラムゴパルラオ;筒井一生;岩井 洋
• 通讯作者: 岩井 洋