希土類錯体の電子状態に及ぼす環境効果

环境对稀土配合物电子态的影响

基本信息

批准号：
07230244
负责人：
足立裕彦
金额：
$ 1.47万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1995
资助国家：
日本
起止时间：
1995 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-07230244/
关键词：
サイアロン DV-Xα法分子軌道法セラミックス電子論

项目摘要

本研究では、含希土類機能性セラミックス材料を電子論に基づいて設計することを最終の目的として、モデルクラスターとして希土類錯体をとりあげ、その電子状態をDV-Xα法により詳しく調べ、実験的に知られている諸物性との対応を系統的に調べている。経験的なパラメーターを入れることなく電子状態を計算する手法は、すでに幾つかの汎用のものが存在するが、この内、本研究で用いるDV-Xα法は、希土類を含む周期律表の全元素を同じ精度で同じように取扱うことができ、本研究の目的に最適の方法である。計算は,高温構造用セラミックスとしての広い応用が期待されているα‐及びβ-Si_3N_4の格子間位置に希土類元素が存在する固溶体について行った.Lu^<3+>イオン周囲の化学結合性を評価したところ,特にLn-Nが強い反結合性を示した.overlap populationの成分を詳しく見たところ,その反結合性の主因はLn-5spおよび6spとこれに隣接するNの価電子との反結合にあり,Lnの4f軌道はほとんど結合に関与していない.このLn‐5spおよび6SPによる反結合性は,Lnのイオン半径の増大にほぼ比例して強くなった.このことは,β-Si_3N_4構造においても同様であったが,Lnイオン周囲のSi-N結合がα-Si_3N_4において強化される分だけ,半径の小さいYb^<3+>などのイオンがα-Si_3N_4において安定化されることが判明した.このことは実験結果とよく対応している.

在这项研究中，最终目的是将模型群集设计为模型群集，并使用DV-Xα方法详细详细使用DV-Xα方法，最终目的是设计基于电子理论的掺入的泥土陶瓷材料我们正在系统地研究与各种属性的对应关系。已经有几种用于计算电子状态的通用方法，而无需进入经验参数，但是本研究中使用的DV-Xα方法是周期表的整个元素，包括稀土。具有相同的精度，并且是解决这项研究目的的最佳方法。该计算是一种固体，在β-SI_3N_4的晶格位置具有稀有的元素，预计将广泛应用为高尾陶瓷，.lu^<3+>在离子周围的化学键合详细详细介绍了ln-n的跨斜线种群的组成部分，详细介绍了抗固定性，抗组合的主要原因是ln-5sp和6sp，n的值是N的值，而N的值是N，而N的价值电子，该值是与此相邻对于-si_3n_4结构，只要在α-SI_3N_4中增强了LN离子的Si-n键，就可以在α-SI_3N_4中稳定YB^<3+>等离子。这对应于实验结果。