不均一電子系における近接効果

非均匀电子系统中的邻近效应

• 批准号: 07227209
• 负责人: 田仲 由喜夫
• 金额: $ 0.32万
• 依托单位: Niigata University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1995
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1995 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-07227209/
• 关键词: 近接効果; 準粒子状態; CDW; 近接効果; 準粒子状態; CDW

不均一電子系に関する近接効果ということで,これまで行ってきた超伝導近接効果の研究ばかりでなく,CDWを含んだ不均一系,常伝導/絶縁体/CDW接合系(N/I/C接合系)の研究も行った.現在こうした系はデルフト大学の実験のグループで実際作り始められていて,これからの問題である.我々はすでによく研究されている,常伝導/絶縁体/超伝導接合系とのアナロジーをつけながら,この系の持っている基本的な物性を検討した.ここでは,N/I/C接合系の微分コンダクタンスを計算することで,微分コンダクタンスは直接CDWのマクロな位相に依存することを明らかにした.バリアーが大きいときにトンネルコンダクタンスは界面における局所状態密度に一致するが,それは決してバルクの状態密度とは一致しない.同様のことは異方的な超伝導体でも成り立つ.最近我々は,常伝導/絶縁体/異方的超伝導の接合系において,バリアーが大きいときにトンネルコンダクタンスは界面における局所状態密度に一致するが,それは決してバルクの状態密度とは一致しないということを明らかにした.さらに実際の接合では位相の平均が必要となる.平均化されたコンダクタンスも求められた.特徴的なこととして,バリアーが十分に高い極限においてもバルクのBCS的なCDWの状態密度とは異なったものとなる.さらにコンダクタンスのゆらぎも計算した.この研究とは別に,異常なマイスナー効果に関する研究も検討している.この問題は,最近非常に細い超伝導体Nbの回りを,Cu,Agで包んだ系で特に極低温において,異常な温度依存性を示すというものである.超伝導近接効果の観点からこの問題の検討を行い,理論的解析に必要なグリーン関数を導出した。

就对不均匀电子系统的接近性效应而言，我们不仅研究了我们迄今为止所做的超导接近效应，而且还研究了包含CDW的正常电导率/绝缘体/CDW连接系统（N/I/C连接系统）。这些系统实际上已经开始由代尔夫特大学的一组实验创建，并且将来是一个问题。我们已经检查了该系统的基本物理特性，同时使用已经研究的正常导电率/绝缘体/超导连接系统的类比。在这里，通过计算N/I/C连接系统的差分电导率，我们揭示了差分电导直接取决于CDW的宏观阶段。当屏障较大时，隧道电导与界面处的局部状态密度一致，但它永远不匹配散装状态的密度。各向异性超导体也是如此。最近，我们透露，在正常/绝缘体/各向异性超导性连接系统中，隧道电导与屏障较大时在界面的局部状态密度相吻合，但它与体积密度不一致。此外，实际连接需要平均相位。还确定了平均电导率。典型的是，即使在障碍的范围内，大容量BCS CDW的状态密度也不同于大体BCS CDW的密度。此外，计算电导的波动。除这项研究外，还研究了对异常Meissner效应的研究。这个问题是，最近，围绕非常薄的超导体NB的系统异常依赖，尤其是在极度低温的温度下。我们从超导接近效应的角度研究了这个问题，并得出了理论分析所需的绿色功能。