不均一電子系における近接効果

非均匀电子系统中的邻近效应

基本信息

批准号：
07227209
负责人：
田仲由喜夫
金额：
$ 0.32万
依托单位：
Niigata University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1995
资助国家：
日本
起止时间：
1995 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-07227209/
关键词：
近接効果準粒子状態 CDW

项目摘要

不均一電子系に関する近接効果ということで,これまで行ってきた超伝導近接効果の研究ばかりでなく,CDWを含んだ不均一系,常伝導/絶縁体/CDW接合系(N/I/C接合系)の研究も行った.現在こうした系はデルフト大学の実験のグループで実際作り始められていて,これからの問題である.我々はすでによく研究されている,常伝導/絶縁体/超伝導接合系とのアナロジーをつけながら,この系の持っている基本的な物性を検討した.ここでは,N/I/C接合系の微分コンダクタンスを計算することで,微分コンダクタンスは直接CDWのマクロな位相に依存することを明らかにした.バリアーが大きいときにトンネルコンダクタンスは界面における局所状態密度に一致するが,それは決してバルクの状態密度とは一致しない.同様のことは異方的な超伝導体でも成り立つ.最近我々は,常伝導/絶縁体/異方的超伝導の接合系において,バリアーが大きいときにトンネルコンダクタンスは界面における局所状態密度に一致するが,それは決してバルクの状態密度とは一致しないということを明らかにした.さらに実際の接合では位相の平均が必要となる.平均化されたコンダクタンスも求められた.特徴的なこととして,バリアーが十分に高い極限においてもバルクのBCS的なCDWの状態密度とは異なったものとなる.さらにコンダクタンスのゆらぎも計算した.この研究とは別に,異常なマイスナー効果に関する研究も検討している.この問題は,最近非常に細い超伝導体Nbの回りを,Cu,Agで包んだ系で特に極低温において,異常な温度依存性を示すというものである.超伝導近接効果の観点からこの問題の検討を行い,理論的解析に必要なグリーン関数を導出した。

关于与非均匀电子系统相关的邻近效应，我们不仅研究目前已经进行的超导邻近效应，还研究非均匀系统，包括CDW、普通导体/绝缘体/CDW结系统（N/I/C结）。，这样的系统实际上是代尔夫特大学的一个实验小组正在创建的，并且是一个未来的问题，同时与该系统进行类比。 ,我们研究了该系统的基本物理性质。这里，通过计算N/I/C结系统的微分电导，我们阐明微分电导直接取决于CDW的宏观相位，当势垒较大时，隧道电导与界面处的局部态密度相匹配，但它与态的体积密度不匹配。对于各向异性超导体来说也是如此。最近，我们有研究表明，在普通/绝缘体/各向异性超导结系统中，当势垒较大时，隧道电导与界面处的局部态密度相匹配，但它与体态密度不匹配。此外，由于需要相位平均。在实际键合中，还确定了平均电导。作为一个特征，即使在势垒足够高的极限下，块状 BCS 类 C这与DW的态密度不同。我们还计算了电导波动。除了这项研究之外，我们还在考虑反常迈斯纳效应的研究。这是一个周围区域被Cu或Ag包围的系统，它表现出不寻常的温度依赖性，特别是在极低的温度下。我们从超导邻近效应的角度研究了这个问题，并得到了理论分析所需的绿光函数。