基本光デバイスの高機能化

提高基本光学器件的功能

基本信息

批准号：
03244106
负责人：
西原浩
金额：
$ 28.48万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1991
资助国家：
日本
起止时间：
1991 至 1993
项目状态：
已结题

项目摘要

本年度に得られた主な成果は以下のとおりである、1.LiNbO_3、ガラス/Si、半導体、ポリマー等の各種光導波路を用いて、光波長フィルタ、情報読取り用光集積回路、光集積変位センサ、非線形光学波長変換デバイスなどの光集積デバイスを設計・試作して特性を評価し、実現可能性を実証した。[西原]2.30〜40GHz帯光制御デバイスの設計作製法確立のため導波路・制御電極の材料・作製加工法を重点的に研究した。また光波一光波制御デバイス実現のため非線形光導波路作製の研究を進めた。[末田]3.傾斜周期回折格子波長可変DFBレーザの波長可変性能の理論的検討・試作開発を行い、0〜90℃で7.3nmの波長可変幅を得た。またヘテロバイボーラトランジスタ構造キャリア注入型光スイッチを集積化するためのGaAsへの二重拡散プロセスを研究し、トランジスタ動作を確認した。[多田]4.非相反移相効果を用いた導波路型アイソレータの実現のため面内磁化特性をもつ磁気光学材料の開発を行い、面内磁化飽和に必要な外部磁界を50eまで低減した。[内藤]5.高性能光デバイス用量子構造形成法としてX線露光の最小転写線幅を解明し、単原子操作加工に向け半導体表面安定化によりSTM観察法を確立し加工を開始し、MOVPEとECR-RIBE法で歪多重量子構造を形成し光デバイス高性能化の見通しを得た。[古屋]6.演算用光デバイス超高速並列化のためのMSSW光スイッチ、ニューロスイッチ・回路、増幅素子、SHG素子、コリニア音響光学素子、テーパ導波路結合素子の集積化を検討し理論解析・基礎実験結果を得た。[宮崎]7.空乏層厚変化によるGaAs/AlGaAs光変調器/スイッチの特性改善を行った。導波路型ではGHz以上での動作確認を行い、平面型では10×4=40個の素子を2次元アレー状に集積し5.5Vの電圧変化で43%の消光比を得た。[山田]8.有機EL素子を用いた新光機能デバイスの可能性探索のため効率支配因子を解析した。また微小共振器EL素子で金属電極を反射鏡に用いても大幅な発光特性制御が可能なことを示した。[筒井]

The main results obtained this year are as follows: 1. Using various optical waveguides such as LiNbO_3, glass/Si, semiconductors, polymers, and other optical waveguides, we designed and prototyped optical integrated devices such as optical wavelength filters, optical integrated circuits for information reading, optical integrated displacement sensors, and nonlinear optical wavelength conversion devices, and demonstrated feasibility. [Nishihara]为了建立2.30-40GHz频段的光控制设备的设计和制造方法，我们专注于波导和控制电极的材料和制造方法。此外，对非线性光学波导的制造进行了研究，以实现单光控制装置。 [sueda] 3。我们进行了理论检查和原型开发，可调衍射光栅DFB激光器的可调波长性能，并在0-90°C下获得了7.3 nm的可调波长范围。还研究了与GAA的双扩散过程，以整合杂波晶体管结构载体注入型光学开关，并确认了晶体管操作。 [TADA] 4。为了使用非逆地相移效应实现波导类型的隔离器，我们开发了具有面内磁化特性的磁光材料，从而减少了平面磁化饱和度所需的外部磁场，使其降低到50E。 [naito] 5。阐明X射线暴露的最小传输线宽度，作为形成高性能光学工具的量子结构的一种方法，通过稳定半导体的半导体表面来确定单位型操作处理的半导体表面，并开始了量级的量级，并构成了crompe and Movepe和ECR-RIB-RIBED STRUTICS OFFISTICS和ECR-RIBED MATECTIUM MATECTIUM MATECTIUM MATEDS，以实现量设备的性能。 [furuya] 6。MSSW光学开关，神经开关和电路，放大器元素，SHG元素，分线声学元素以及锥形波导耦合元件以进行计算的光速平行的超高速度并平行计算，并进行了实验性分析和基本的实验结果。 [Miyazaki] 7。通过改变耗尽层厚度，可以改善GAAS/ALGAAS光学调制器/开关的特性。波导类型已确认在GHz或更高的情况下运行，并且平面类型集成在二维阵列中，导致43％的灭绝比，电压变化为5.5V。 [YAMADA] 8。分析效率控制因子，以搜索使用有机EL设备的新光学功能设备的可能性。还已经表明，即使将金属电极用作具有微孔子EL元件的反射器，也可以显着控制发射特性。 [Tsutsui]