I-III-VI_2族化合物半導体の格子欠陥制御に関する研究

I-III-VI_2族化合物半导体晶格缺陷控制研究

基本信息

批准号：
01604597
负责人：
入江泰三
金额：
$ 1.28万
依托单位：
Tokyo University of Science
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1989
资助国家：
日本
起止时间：
1989 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

前年度にひき続き、CuInSe_2を中心に研究を行った。また、I-III-VI_2族から導かれるCdInGaS_4についても調べた。1.CuInSe_2Znをド-プしたCuInSe_2単結晶の電気抵抗率、Hall係数を77K〜300Kの温度領域について測定した。これより求めたHall移動度の温度変化から、電子は低温ではイオン化不純物によって散乱されていることがわかった。光吸収スペクトルの測定から、吸収端のすそのひろがりは、キャリア濃度の増加と共に増大していることがわかった。Cd,Zn,In,Seをそれぞれド-プした試料のフォトルミネッセンススペクトルを測定した。Seをド-プしたP形試料のスペクトルは三つの主なピ-ク(0.98eV,1.02eV,1.03eV)から成るが、Cd,Zn,Inをド-プしたn形試料は、いずれも0.9eV近傍にピ-クを持つ幅の広い発光バンドを示した。Znをド-プした試料の発光ピ-クは、ド-プ量の増加と共に長波長側へ移動した。また、このピ-クは励起光強度の増加、温度の上昇、いずれの場合にも高エネルギ-側へ移動したことから、発光はドナ・アクセプタ対発光であると考えられる。Hall係数の温度変化のデ-タと共に解析した結果、ドナレベルは伝導帯の下0.02eV,アクセプタレベルは価電子帯の上約0.1eVに存在することがわかった。2.CdInGaS_4Cd_3InGaS_6は低温で強い緑色発光を示すが、結晶構造をX線回折で調べたところ、CdSとCdInGaS_4の積層した物質であり、この積層性が緑色発光に強く関わっていることがわかった。すなわち、われわれが見いだした強い緑色発光は、CdInGaS_4結晶中にできている自然超格子によるものと考えられるに至った。

从上一年开始，研究主要是在Cuinse_2上进行的。我们还研究了Cdingas_4，该cdingas_4源自I-III-VI_2家族。 1。在77K至300K的温度范围内测量了用Cuinse_2zn掺杂的Cuinse_2单晶的电阻率和霍尔系数。从从此获得的HALL迁移率的温度变化中，发现电子在低温下被电离杂质散射。光吸收光谱的测量结果表明，吸收边缘的扩散会随着载体浓度的增加而增加。测量了用Cd，Zn，IN和SE掺杂的样品的光致发光光谱。用SE掺杂的P型样品的光谱由三个主要峰（0.98 eV，1.02 eV，1.03 eV）组成，但是掺有CD，Zn的N型样品，在所有均匀的发射带中，在附近为0.9 eV的PIC。随着浓汤量的增加，Zn掺杂样品的光发光向更长的波长侧移动。此外，由于这种选择在任何一种情况下都向高能侧移动，因此激发光的强度和温度升高，因此人们认为光发射是DONA受体对。分析以及HALL系数中温度变化的数据表明，DONA水平低于传导带的0.02EV，受体水平高于价带的0.1EV。 2.Cdingas_4CD_3INGAS_6在低温下表现出较强的绿色发射，但是通过X射线衍射检查了晶体结构，发现这种层压的特性与绿色发射强烈有关。换句话说，我们发现的强绿色发射被认为是由于Cdingas_4晶体中形成的自然晶格。