セラミックスの塑性と塑性加工

陶瓷的可塑性及塑性加工

基本信息

  • 批准号:
    01604571
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.6万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    1989
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1989 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

2種類のマグネシアを用いて四点曲げグリ-プを行った。試料は高純度(99.9%)のMG-Sと少量のガラス相を含むMG-12(98%)である。粒子径はMG-Sが42μm、MG-12が55μmである。同一温度でそれぞれの変形速度を比較すると、MG-12の方が粒子径が大きいにもかかわらず、速い変形速度を示した。変形速度の応力依存性は両者ともよく似た傾向を示したが、変形機構の異なることが分った。すなわち、MG-Sでは低応力域で応力指数n=1の拡散クリ-プ、高応力域でn=3の転位クリ-プによる変形が主であるのに対し、MG-12では、低応力域で溶解析出機構による変形であると考えられた。MG-12での有効拡散係数(Deff)しトレ-サ-法によって求められたマグネシウムの拡散係数(D_<Mg>)の値に近く、Nabarro-Herring型拡散クリ-プとしてその結果を説明できた。一方、MG-12では有効拡散係数の値が大きく、また活性化エネルギ-の値もはるかに高かった。これは粒界ガラス相を通しての溶解-析出(solution-precipitation)機構によって変形が進行していることを示唆している。また、本研究では、塑性を利用したセラミックスの加工ということで高温押し出し加工のセラミックスへの適用の可能性を検討してきたが、この方法が金属だけでなく、セラミックスに対しても有効であることが明らかとなった。特に最近注目されているセラミック高温超伝導体の線材化に対しても応用できるものと思われる。
使用两种类型的镁进行四点弯曲。样品是含有高纯度(99.9%)MG-S和少量玻璃相的MG-12(98%)。 MG-S的粒径为42μm,MG-12的粒径为55μm。比较在相同温度下每个变形率的变形速率,尽管粒径较大,但MG-12显示出更快的变形速率。变形率的应力依赖性均显示出相似的趋势,但发现变形机制有所不同。换句话说,尽管MG-S在低应力范围内具有n = 1的扩散脚本而主要变形,而在高应力范围内n = 3,但Mg-12被认为是通过低应力范围内的裂解溶解机制的脱位脚本而变形的。结果与通过有效扩散系数(DEFF)在MG-12(Trader)方法中获得的镁的扩散系数(D_ <mg>)的值相似,并被解释为Nabarro-Herring型扩散脚本。另一方面,有效的扩散系数在MG-12中很大,并且活化能要高得多。这表明由于晶界玻璃相通过溶液的沉积机理而导致变形进展。此外,在这项研究中,我们研究了将高温挤出加工应用于陶瓷的可能性,因为它使用可塑性,并且已经揭示了这种方法不仅对金属,而且对陶瓷也有效。据认为,它可以应用于陶瓷高温超导体的电线材料,这些导体最近引起了人们的注意。

项目成果

期刊论文数量(6)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
T.Nishikawa: "Diffusion and Plasticity of ovalent and Ionic Bonding Materials" Proceedings of the 1st National Symposium on Advanced Materials Mechanical Properties. 34. 53-65 (1989)
T.Nishikawa:“卵价和离子键合材料的扩散和可塑性”第一届全国先进材料力学性能研讨会论文集。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
西川友三: "セラミックス焼結体の押し出し加工" ニュセラミックス. 2. 53-56 (1989)
Yuzo Nishikawa:“陶瓷烧结体的挤压加工”《新陶瓷》2. 53-56 (1989)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
西川友三: "異種業種技術交流'89" 近畿化学工業会, 35-39 (1989)
西川雄三:“不同产业技术交流89”近畿化学工业协会,35-39(1989)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
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  • 通讯作者:
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    $ 1.6万
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  • 资助金额:
    $ 1.6万
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