大規模第一原理計算によるGaN中格子欠陥、不純物の複合構造モデリング

使用大规模第一性原理计算对 GaN 介质晶格缺陷和杂质进行复合结构建模

基本信息

  • 批准号:
    23H01871
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.9万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2023
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2023-04-01 至 2027-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

项目成果

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  • 期刊:
  • 影响因子:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
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  • 影响因子:
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  • 通讯作者:
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  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
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  • 通讯作者:
    斉藤 真司
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    藤原 進;中村 浩章;宮西 寿典;水口 朋子;安永 卓生;中田 彩子;宮崎 剛;大塚 教雄;剣持 貴弘;波多野 雄治;斉藤 真司
  • 通讯作者:
    斉藤 真司

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