Electronic states of artificially-stacked atomic-layer thinfilms with Rashba effect and topological electronic states
具有Rashba效应的人工堆叠原子层薄膜的电子态和拓扑电子态
基本信息
- 批准号:23H01853
- 负责人:
- 金额:$ 12.06万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2023
- 资助国家:日本
- 起止时间:2023-04-01 至 2026-03-31
- 项目状态:未结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
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会议论文数量(0)
专利数量(0)
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- 资助金额:
$ 12.06万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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- 资助金额:
$ 12.06万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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23K26546 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 12.06万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)