超薄化した下地基板を用いた応力制御低欠陥ダイヤモンド成長技術の開発
使用超薄基底开发应力控制、低缺陷金刚石生长技术
基本信息
- 批准号：23H01725
- 负责人：
- 金额：$ 12.23万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-04-01 至 2026-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
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大山 幸希;土肥 俊郎;佐野 泰久;黒河 周平;會田 英雄;塩澤 昂祐;宮下 忠一;金 聖祐 - 通讯作者：
金 聖祐
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
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超薄化した下地基板を用いた応力制御低欠陥ダイヤモンド成長技術の開発
使用超薄基底开发应力控制、低缺陷金刚石生长技术
- 批准号：
23K26418 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 12.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Improvement of crystal quality of heteroepitaxial diamond toward realization of next-generation power electronics devices
提高异质外延金刚石晶体质量以实现下一代电力电子器件
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20H02478 - 财政年份：2020
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- 批准号：
20H02478 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 12.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Basic research for realization of heteroepitaxial growth platform
异质外延生长平台实现的基础研究
- 批准号：
15H03558 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 12.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Crystal Growth of Free Standing 3C-SiC Using Air-Bridge Structure
使用气桥结构的独立式 3C-SiC 晶体生长
- 批准号：
15360010 - 财政年份：2003
- 资助金额：
$ 12.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
直流アークプラズマジェットCVD法によるヘテロエピタキシャルダイヤモンド膜の合成
直流电弧等离子体喷射CVD法合成异质外延金刚石薄膜
- 批准号：
09750359 - 财政年份：1997
- 资助金额：
$ 12.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
水素ラジカルCVD法によるznse,zns薄膜結晶の低温成長
氢自由基CVD法低温生长Znse和Zns薄膜晶体
- 批准号：
62604544 - 财政年份：1987
- 资助金额：
$ 12.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas