Elucidation of polymorphs and novel properties of SiGe alloys developed by high-pressure phase transformations
阐明高压相变开发的 SiGe 合金的多晶型和新特性
基本信息
- 批准号:23H01712
- 负责人:
- 金额:$ 12.4万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2023
- 资助国家:日本
- 起止时间:2023-04-01 至 2026-03-31
- 项目状态:未结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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生駒 嘉史其他文献
超伝導体レニウムにおける巨大ひずみ加工の効果
大应变处理对超导体铼的影响
- DOI:
- 发表时间:
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- 影响因子:0
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高圧巨大ひずみに伴う半導体材料のナノ結晶粒化と新規特性
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生駒 嘉史
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- 发表时间:
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- DOI:
- 发表时间:
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- 作者:
生駒 嘉史;江尻 幸賢;堀田 善治;齊藤 勝彦;郭 其新;小池章高,小栗章,田中洋一 - 通讯作者:
小池章高,小栗章,田中洋一
生駒 嘉史的其他文献
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高圧相変態が拓くシリコン―ゲルマニウム合金の結晶多型と新奇物性解明
阐明高压相变开发的硅锗合金的晶体多态性和新的物理性能
- 批准号:
23K26405 - 财政年份:2024
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超音速フリージェットCVD法によるSiC/Si多層量子構造の形成
超声速自由喷射CVD法形成SiC/Si多层量子结构
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15760492 - 财政年份:2003
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$ 12.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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96J00720 - 财政年份:1998
- 资助金额:
$ 12.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
相似国自然基金
硅基锗锡合金的深能级缺陷和发光性能研究
- 批准号:62205107
- 批准年份:2022
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相似海外基金
Low-temperature crystallization mechanism of amorphous SiGe alloys
非晶SiGe合金的低温结晶机理
- 批准号:
20K15049 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 12.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
スピン・軌道相互作用により変調された半導体量子閉じ込め場中正孔のスピンテクスチャ
自旋轨道相互作用调制的半导体量子限域场中空穴的自旋织构
- 批准号:
20J11391 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 12.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
新作製法( SP-PCVD )による低温基板上への SiGe 合金の堆積と特性評価
使用新制造方法 (SP-PCVD) 在低温基底上沉积 SiGe 合金并对其进行表征
- 批准号:
60550235 - 财政年份:1985
- 资助金额:
$ 12.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)