Synthesis of Ultrathin Functional Oxides Using Atomically Thin Transition Metal Dichalcogenides as Oxidation Precursors
使用原子薄过渡金属二硫族化物作为氧化前驱体合成超薄功能氧化物
基本信息
- 批准号：22H01914
- 负责人：
- 金额：$ 11.07万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2022
- 资助国家：日本
- 起止时间：2022-04-01 至 2026-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
暂无数据
项目成果
期刊论文数量（0）
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科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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数据更新时间：2024-06-01
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自閉症スペクトラム傾向を持つ女性との心理面接過程
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- 通讯作者：井上麻紀井上麻紀
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山本 真人的其他基金
遷移金属ダイカルコゲナイド原子層を酸化前駆体とする機能性酸化物超薄膜の創出
使用过渡金属二硫属化物原子层作为氧化前体创建超薄功能氧化物薄膜
- 批准号：23K2318223K23182
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Monolithic phase change oscillator network based on two-dimensional materials
基于二维材料的单片相变振荡器网络
- 批准号：22K1881622K18816
- 财政年份：2022
- 资助金额：$ 11.07万$ 11.07万
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
分子フローティングゲート単電子デバイスの高機能化
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- 批准号：14J0802514J08025
- 财政年份：2014
- 资助金额：$ 11.07万$ 11.07万
- 项目类别：Grant-in-Aid for JSPS FellowsGrant-in-Aid for JSPS Fellows
相似海外基金
Fabrication and understanding the interface junction between atomic layers and 3D solids
制造并理解原子层和 3D 实体之间的界面连接
- 批准号：19K1539319K15393
- 财政年份：2019
- 资助金额：$ 11.07万$ 11.07万
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Low power consumption tunnel FETs in two-dimensional materials
二维材料中的低功耗隧道 FET
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- 资助金额：$ 11.07万$ 11.07万
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Fabrication of atomic wires by 1D heteroepitaxy
一维异质外延制造原子线
- 批准号：18H0183218H01832
- 财政年份：2018
- 资助金额：$ 11.07万$ 11.07万
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High-performance and functional optoelectronic devices of atomically thin transition metal dichalcogenides
原子薄过渡金属二硫属化物的高性能和功能光电器件
- 批准号：17H0673617H06736
- 财政年份：2017
- 资助金额：$ 11.07万$ 11.07万
- 项目类别：Grant-in-Aid for Research Activity Start-upGrant-in-Aid for Research Activity Start-up
New development of nonlinear photoelectronics based on terahertz strong field physics
基于太赫兹强场物理的非线性光电子学新进展
- 批准号：17H0612417H06124
- 财政年份：2017
- 资助金额：$ 11.07万$ 11.07万
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (S)Grant-in-Aid for Scientific Research (S)