In situ three-dimensional measurement of wide bandgap semiconductors with stimulated Raman scattering
利用受激拉曼散射对宽带隙半导体进行原位三维测量
基本信息
- 批准号：23H00271
- 负责人：
- 金额：$ 23.88万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-04-01 至 2027-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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$ 23.88万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research