Clarification of physical properties in semi-insulating SiC wafers and fabrication of complimentary junction field-effect transistors

阐明半绝缘 SiC 晶圆的物理特性以及互补结型场效应晶体管的制造

基本信息

  • 批准号：
    18H03779
  • 负责人：
    Tsunenobu Kimoto
  • 金额：
    $ 28.45万
  • 依托单位：
    Kyoto University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 财政年份：
    2018
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2018-04-01 至 2021-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（40）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Defect electronics in SiC for high-voltage power devices
用于高压功率器件的 SiC 电子器件缺陷
  • DOI：
  • 发表时间：
    2012
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    T. Kimoto;J. Suda;K. Kawahara;H. Niwa;T. Okuda;N. Kaji;and S. Ichikawa
  • 通讯作者：
    and S. Ichikawa
Breakdown Characteristics of Lateral PIN Diodes Fully Fabricated by Ion Implantation into HTCVD-Grown High-Purity Semi-Insulating SiC Substrate
HTCVD 生长的高纯半绝缘 SiC 衬底完全离子注入横向 PIN 二极管的击穿特性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Mitsuaki Kaneko;Tsibizov Alexander;Tsunenobu Kimoto;Ulrike Grossner
  • 通讯作者：
    Ulrike Grossner
Demonstration of conductivity modulation in SiC bipolar junction transistors with reduced base spreading resistance
具有降低基极扩展电阻的 SiC 双极结晶体管的电导率调制演示
400℃ operation of normally-off n- and p-JFETs with a side-gate structure fabricated by ion implantation into a high-purity semi-insulating SiC substrate
通过离子注入高纯度半绝缘 SiC 衬底制造的具有侧栅结构的常关 n 和 p-JFET 的 400℃ 运行
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    M. Nakajima;M. Kaneko;and T. Kimoto
  • 通讯作者：
    and T. Kimoto
High-temperature operation of n- and p-channel JFETs fabricated by ion implantation into a high-purity semi-insulating SiC substrate
通过离子注入高纯度半绝缘 SiC 衬底制造的 n 和 p 沟道 JFET 的高温操作
  • DOI：
    10.1109/led.2018.2822261
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
    IEEE Electron Device Letters
  • 影响因子：
    4.9
  • 作者：
    Toshitaka Itoh;Yosuke Hasegawa;澤田和明;Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita;柳原真樹，久野恭平，堤治;M. Kaneko and T. Kimoto
  • 通讯作者：
    M. Kaneko and T. Kimoto
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Tsunenobu Kimoto其他文献

Impact of post-nitridation annealing in CO2 ambient on threshold voltage stability in 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
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  • 期刊：
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  • 影响因子：
    2.3
  • 作者：
    Takuji Hosoi;Momoe Ohsako;Kidist Moges;Koji Ito;Tsunenobu Kimoto;Mitsuru Sometani;Mitsuo Okamoto;Akitaka Yoshigoe;Takayoshi Shimura;Heiji Watanabe
  • 通讯作者：
    Heiji Watanabe
Phonon frequencies of a highly strained AlN layer coherently grown on 6H-SiC (0001)
6H-SiC 上相干生长的高应变 AlN 层的声子频率 (0001)
  • DOI：
    10.1063/1.4974500
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
    AIP Advances
  • 影响因子：
    1.6
  • 作者：
    Mitsuaki Kaneko;Tsunenobu Kimoto;Jun Suda
  • 通讯作者：
    Jun Suda
Effects of NO Annealing on 4H-SiC MOSFETs with Deposited and Thermally Grown Oxides Fabricated on Various Crystal Faces
NO 退火对在不同晶面上制造的沉积和热生长氧化物的 4H-SiC MOSFET 的影响
  • DOI：
  • 发表时间：
    2010
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Yuichiro Nanen;Jun Suda;Tsunenobu Kimoto
  • 通讯作者：
    Tsunenobu Kimoto
Characterization of punch-through phenomenon in SiC-SBD by capacitance-voltage measurement at high reverse bias
通过高反向偏压下的电容电压测量表征 SiC-SBD 中的穿通现象
  • DOI：
  • 发表时间：
    2006
  • 期刊：
    IEICE Electron.Express Vol.3,No.16
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Tsuyoshi Funaki;Shuntaro Matsuzaki;Tsunenobu Kimoto
  • 通讯作者：
    Tsunenobu Kimoto
Surface recombination velocities for polished p‐type 4H‐SiC
抛光 p 型 4H-SiC 的表面复合速度
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Masashi Kato;Kimihiro Kohama;Hiroto Shibata;Masaya Ichimura;Tsunenobu Kimoto
  • 通讯作者：
    Tsunenobu Kimoto

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