Creation of optical functions below 200nm with ultra-wide band gap oxide semiconductor quantum structure
利用超宽带隙氧化物半导体量子结构创造200nm以下的光学功能
基本信息
- 批准号:17H01263
- 负责人:
- 金额:$ 28.2万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份:2017
- 资助国家:日本
- 起止时间:2017-04-01 至 2020-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(27)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Study on growth of high quality MgZnO films on MgO substrates for DUV light emission
用于深紫外光发射的 MgO 衬底上生长高质量 MgZnO 薄膜的研究
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K. Ishii;T. Onuma;T. Uchida;R. Jinno;K. Kaneko;S. Fujita
- 通讯作者:S. Fujita
岩塩構造MgxZn1-xOにおける深紫外線カソードルミネセンスの温度および励起密度依存性
岩盐结构 MgxZn1-xO 中深紫外阴极发光的温度和激发密度依赖性
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:小野瑞生;石井恭平;金子健太郎;山口智広;本田徹;藤田静雄;尾沼猛儀
- 通讯作者:尾沼猛儀
岩塩構造MgxZn1-xOの吸収端の観測と電子状態計算
岩盐结构MgxZn1-xO吸收边观测及电子结构计算
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:尾沼猛儀;小野瑞生;石井恭平;金子健太郎;山口智広;藤田静雄;本田徹
- 通讯作者:本田徹
Growth of rocksalt-structured MgZnO thin films and their optical properties
岩盐结构MgZnO薄膜的生长及其光学性能
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K. Ishii;M. Ono;T. Onuma;K. Kaneko;S. Fujita
- 通讯作者:S. Fujita
Deep UV cathodoluminescence properties of rocksalt-structured MgZnO alloys
岩盐结构MgZnO合金的深紫外阴极发光性能
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Takeyoshi Onuma;Mizuki Ono;Kanta Kudo;Kyohei Ishii;Kentaro Kaneko;Shizuo Fujita;Tohru Honda
- 通讯作者:Tohru Honda
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Fujita Shizuo其他文献
Enhancement of epitaxial lateral overgrowth in the mist chemical vapor deposition of α-Ga2O3 by using a-plane sapphire substrate
使用a面蓝宝石衬底增强α-Ga2O3喷雾化学气相沉积中的外延横向过度生长
- DOI:
10.7567/1347-4065/ab55c6 - 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:
Jinno Riena;Yoshimura Nobuhiro;Kaneko Kentaro;Fujita Shizuo - 通讯作者:
Fujita Shizuo
Growth and preliminary MOSFETs of corundum-structured oxide semiconductors
刚玉结构氧化物半导体的生长和初步MOSFET
- DOI:
- 发表时间:
2015 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Itoh Yoshito;Kaneko Kentaro;Fujita Shizuo - 通讯作者:
Fujita Shizuo
Fujita Shizuo的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('Fujita Shizuo', 18)}}的其他基金
Creating science of vacuum-ultraviolet optical processes in semiconductors
创建半导体真空紫外光学工艺科学
- 批准号:
20H00246 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 28.2万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Illumination design based on brain science and cell physiology
基于脑科学和细胞生理学的照明设计
- 批准号:
19K21973 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 28.2万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Cell-photon engineering with ultra-narrow-band LEDs
使用超窄带 LED 的细胞光子工程
- 批准号:
17K18879 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 28.2万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Conductivity control of oxide semiconductors with reduction-reactions introduced to control oxidation processes
通过引入还原反应来控制氧化过程来控制氧化物半导体的电导率
- 批准号:
15K13350 - 财政年份:2015
- 资助金额:
$ 28.2万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Evolution of functional single-crystalline oxide thin films by mist deposition
通过雾沉积演化功能性单晶氧化物薄膜
- 批准号:
25286050 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 28.2万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
相似海外基金
Study on Properties of Quantum Heterostructures by Using High Quality alpha-type Gallium Oxide Thin Films
利用高质量α型氧化镓薄膜研究量子异质结构特性
- 批准号:
18K04958 - 财政年份:2018
- 资助金额:
$ 28.2万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Analysis of the surfaces and interfaces of strongly correlated oxide based on the international platform of next-generation synchrotron light(Fostering Joint International Research)
基于下一代同步加速器光国际平台的强相关氧化物表面和界面分析(促进国际联合研究)
- 批准号:
16KK0107 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 28.2万 - 项目类别:
Fund for the Promotion of Joint International Research (Fostering Joint International Research)
Novel two-dimensional electron liquid states in quantum well structures of strongly-correlated oxides
强相关氧化物量子阱结构中的新型二维电子液态
- 批准号:
16H02115 - 财政年份:2016
- 资助金额:
$ 28.2万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Crystal symmetry breaking of oxide quantum well interfaces and polarized light-electric conversions
氧化物量子阱界面晶体对称性破缺与偏振光电转换
- 批准号:
25289084 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 28.2万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Anomalous quantization behavior of strongly correlated electrons in oxide quantum-well structures
氧化物量子阱结构中强相关电子的反常量子化行为
- 批准号:
25287095 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 28.2万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)