Creation of ultra low energy consumption devices by bio mimicry

通过仿生创造超低能耗设备

基本信息

  • 批准号:
    17H01261
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 28.45万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 财政年份:
    2017
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2017-04-01 至 2020-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(181)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Mechano-plasmonic control at internanoparticle gaps based on doped oxide semiconductors
基于掺杂氧化物半导体的纳米粒子间间隙的机械等离子体控制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    水戸 京;李 旭峰;Md. Anamul Haque;野々山 貴行;中島 祐;黒川 孝幸;グン 剣萍;H. Notsu;H. Matsui and H. Tabata
  • 通讯作者:
    H. Matsui and H. Tabata
n-ZnO/p-(Si, Ge) 積層型トンネル電界効果トランジスタの動作実証
n-ZnO/p-(Si,Ge)堆叠隧道场效应晶体管的操作演示
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    加藤 公彦;松井 裕章;田畑 仁;竹中 充;高木 信一
  • 通讯作者:
    高木 信一
Spin wave modulation by the topographical modification of the YIG surface
通过改变 YIG 表面的形貌来调制自旋波
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Sarker Md Shamim;Hiroyasu Yamahara;Hitoshi Tabata
  • 通讯作者:
    Hitoshi Tabata
酸化物半導体/IV族半導体を用いた超低消費電力トンネルトランジスタ
使用氧化物半导体/IV族半导体的超低功耗隧道晶体管
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    藤垣匠;高木信一;竹中充
  • 通讯作者:
    竹中充
誘電体/ZnO:Gaハイブリッド構造の近赤外域表面プラズモン励起
电介质/ZnO:Ga杂化结构的近红外表面等离子体激发
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    倉永康博;松井裕章;池羽田晶文;田畑仁
  • 通讯作者:
    田畑仁
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TABATA Hitoshi其他文献

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    2002
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    $ 28.45万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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    $ 28.45万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

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    $ 28.45万
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    $ 28.45万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
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