Creation of ultra low energy consumption devices by bio mimicry
通过仿生创造超低能耗设备
基本信息
- 批准号:17H01261
- 负责人:
- 金额:$ 28.45万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份:2017
- 资助国家:日本
- 起止时间:2017-04-01 至 2020-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(181)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Mechano-plasmonic control at internanoparticle gaps based on doped oxide semiconductors
基于掺杂氧化物半导体的纳米粒子间间隙的机械等离子体控制
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:水戸 京;李 旭峰;Md. Anamul Haque;野々山 貴行;中島 祐;黒川 孝幸;グン 剣萍;H. Notsu;H. Matsui and H. Tabata
- 通讯作者:H. Matsui and H. Tabata
n-ZnO/p-(Si, Ge) 積層型トンネル電界効果トランジスタの動作実証
n-ZnO/p-(Si,Ge)堆叠隧道场效应晶体管的操作演示
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:加藤 公彦;松井 裕章;田畑 仁;竹中 充;高木 信一
- 通讯作者:高木 信一
Spin wave modulation by the topographical modification of the YIG surface
通过改变 YIG 表面的形貌来调制自旋波
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Sarker Md Shamim;Hiroyasu Yamahara;Hitoshi Tabata
- 通讯作者:Hitoshi Tabata
酸化物半導体/IV族半導体を用いた超低消費電力トンネルトランジスタ
使用氧化物半导体/IV族半导体的超低功耗隧道晶体管
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:藤垣匠;高木信一;竹中充
- 通讯作者:竹中充
誘電体/ZnO:Gaハイブリッド構造の近赤外域表面プラズモン励起
电介质/ZnO:Ga杂化结构的近红外表面等离子体激发
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:倉永康博;松井裕章;池羽田晶文;田畑仁
- 通讯作者:田畑仁
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TABATA Hitoshi其他文献
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$ 28.45万 - 项目类别:
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相似海外基金
Fundamentals and developments of brainmorphic computing hardware
脑拟计算硬件的基础和发展
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$ 28.45万 - 项目类别:
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