Quantum state measurements of single photon sources in silicon carbide devices

碳化硅器件中单光子源的量子态测量

基本信息

批准号：
17H01056
负责人：
Ohshima Takeshi
金额：
$ 28.12万
依托单位：
National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（86）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Bright single photon sources in lateral silicon carbide light emitting diodes

DOI：
10.1063/1.5032291
发表时间：
2018-06
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
M. Widmann;Matthias Niethammer;T. Makino;T. Rendler;S. Lasse;T. Ohshima;J. Ul Hassan;Nguyen Tien Son;Sang-Yun Lee;J. Wrachtrup
通讯作者：
M. Widmann;Matthias Niethammer;T. Makino;T. Rendler;S. Lasse;T. Ohshima;J. Ul Hassan;Nguyen Tien Son;Sang-Yun Lee;J. Wrachtrup

Oxidation-Process Dependence of Single Photon Sources Embedded in 4H-SiC MOSFETs

嵌入 4H-SiC MOSFET 中的单光子源的氧化过程依赖性

DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.924.281
发表时间：
2018
期刊：
Mater. Sci. Forum
影响因子：
0
作者：
Y. Abe;T. Umeda;M. Okamoto;S. Onoda;M. Haruyama;W. Kada;O. Hanaizumi;R. Kosugi;S. Harada;T. Ohshima
通讯作者：
T. Ohshima

SiC p+nn+ダイオード中の発光中心のバイアス電圧による発光強度変化

SiC p+nn+ 二极管发射中心偏压引起的发射强度变化

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
本多智也;常見大貴;児島一聡;佐藤真一郎;牧野高紘;小野田忍;土方泰斗;大島武
通讯作者：
大島武

SiC p+nn+ダイオードに形成される単一光子源の発光スペクトル

SiC p+nn+ 二极管中形成的单光子源的发射光谱

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
常見大貴;本多智也;牧野高絋;小野田忍;佐藤真一郎;土方泰斗;大島武
通讯作者：
大島武

SiC表面に形成される単一光子源の酸化膜厚依存性

SiC 表面形成的单光子源的氧化物厚度依赖性

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Masaki Nakano;Yu Chikuba;Dai Shimizu;Akihiro Yamashita;Takeshi Yanai;H. Fukunaga;常見大貴，佐藤真一郎，山﨑雄一，牧野高絋，土方泰斗，大島武
通讯作者：
常見大貴，佐藤真一郎，山﨑雄一，牧野高絋，土方泰斗，大島武

DOI：
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作者：
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Ohshima Takeshi其他文献

Carrier dynamics of silicon vacancies of SiC under simultaneous optically and electrically excitations

同时光电激发下 SiC 硅空位的载流子动力学

DOI：
10.1063/5.0028318
发表时间：
2021
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
Yamazaki Yuichi;Chiba Yoji;Sato Shin-ichiro;Makino Takahiro;Yamada Naoto;Satoh Takahiro;Kojima Kazutoshi;Hijikata Yasuto;Tsuchida Hidekazu;Hoshino Norihiro;Lee Sang-Yun;Ohshima Takeshi
通讯作者：
Ohshima Takeshi

Photoluminescence properties of praseodymium ions implanted into submicron regions in gallium nitride

氮化镓亚微米区域镨离子注入的光致发光特性

DOI：
10.7567/1347-4065/ab142b
发表时间：
2019
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Sato Shin-ichiro;Deki Manato;Nakamura Tohru;Nishimura Tomoaki;Stavrevski Daniel;Greentree Andrew D.;Gibson Brant C.;Ohshima Takeshi
通讯作者：
Ohshima Takeshi

日本で近隣は学業達成に影響を与えるか―統計的因果推論による検証

使用统计因果推理验证邻里关系是否影响学业成绩？

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Abe Yuta;Chaen Akihumi;Sometani Mitsuru;Harada Shinsuke;Yamazaki Yuichi;Ohshima Takeshi;Umeda Takahide;渡邉萌;大和冬樹
通讯作者：
大和冬樹

走査型イオンコンダクタンス顕微鏡を用いた単一オルガネラ回収技術の開発

使用扫描离子电导显微镜开发单一细胞器回收技术

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yanagi Tamami;Kaminaga Kiichi;Suzuki Michiyo;Abe Hiroshi;Yamamoto Hiroki;Ohshima Takeshi;Kuwahata Akihiro;Sekino Masaki;Imaoka Tatsuhiko;Kakinuma Shizuko;Sugi Takuma;Kada Wataru;Hanaizumi Osamu;Igarashi Ryuji;高橋康史
通讯作者：
高橋康史

極低温広帯域ESR測定への取り組み

低温宽带 ESR 测量方法

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Ball Jason R.;Yamashiro Yu;Sumiya Hitoshi;Onoda Shinobu;Ohshima Takeshi;Isoya Junichi;Konstantinov Denis;Kubo Yuimaru;久保結丸;則元将太，太田守洋，Jason Ball，Petr Moroshkin，Denis Konstantinov，久保結丸
通讯作者：
則元将太，太田守洋，Jason Ball，Petr Moroshkin，Denis Konstantinov，久保結丸