Multi-stack interface dipole modulation memory and analog operation dynamics

多堆栈接口偶极子调制存储器和模拟操作动态

• 批准号: 16H02335
• 负责人: MIYATA noriyuki
• 金额: $ 26.79万
• 依托单位: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2016
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2016-04-01 至 2019-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-16H02335/
• 关键词: 不揮発性メモリ; 界面ダイポール; 酸化物; X線光電子分光法; 第一原理計算; ニューロモルフィック; 不揮発メモリ; 酸化膜; アモルファス; X線励起光電子分光法; MOS; XPS; 電子・電気材料; 電子デバイス・機器; 表面・界面物性; データストレージ機械学習; データストレージ; 機械学習

项目成果

Electric Field Controlled Analog Memory based on Interface Dipole Modulation in HfO2/SiO2 Multi-Stacked Structures

HfO2/SiO2 多层结构中基于界面偶极子调制的电场控制模拟存储器

• 发表时间: 2016
• 作者: Daisuke Yamane;Toshifumi Konishi;Teruaki Safu;Hiroshi Toshiyoshi;Masato Sone;Kazuya Masu and Katsuyuki Machida;溝端悠大，富永直樹，曽我部友輔，雨宮尚之;山下直人 伊藤彰太 高橋健太 前田寛陽 佐々木信也;Noriyuki Miyata
• 通讯作者: Noriyuki Miyata

シナプス素子

突触元件

• 发表时间: 2018

HfO2/SiO2 MOS積層構造中の界面ダイポール変調動作

HfO2/SiO2 MOS堆叠结构中的界面偶极子调制操作

• 发表时间: 2019
• 作者: 宮田;奈良;山崎;住田;佐野;野平
• 通讯作者: 野平

不揮発性記憶素子

非易失性存储元件

• 发表时间: 2013

Gate-induced modulation of interface dipole in HfO2-based MOS structures

HfO2 基 MOS 结构中界面偶极子的栅极感应调制

• 发表时间: 2018
• 作者: LUDOVICO MINATI;KORKUT KAAN TOKGOZ;MATTIA FRASCA;YASUHARU KOIKE;JACOPO IANNACCI;NATSUE YOSHIMURA;KAZUYA MASU;AND HIROYUKI ITO;財部健一，森嘉久;N. Miyata
• 通讯作者: N. Miyata