Artificial photosynthesis devices using polarization-engineered nitride semiconductors for visible-light response and high durability
使用偏振工程氮化物半导体的人工光合作用装置,具有可见光响应和高耐用性
基本信息
- 批准号:15H02238
- 负责人:
- 金额:$ 28.62万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份:2015
- 资助国家:日本
- 起止时间:2015-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(22)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Impact of surface modification on photo-induced Open-Circuit-Potential (OCP) of GaN anode
表面改性对 GaN 阳极光致开路电位 (OCP) 的影响
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Y. Iwai;A. Nakamura;K. Koike;Y. Nakano;K. Fujii;and M. Sugiyama
- 通讯作者:and M. Sugiyama
Low-Temperature Growth of Al(Ga)N/GaN Tunnel Junction with Abrupt Interfaces and Low Dislocation Density for Polarization Engineered Water Splitting Photocathode
用于偏振工程水分解光电阴极的具有突变界面和低位错密度的 Al(Ga)N/GaN 隧道结的低温生长
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:A. Nakamura;M. Suzuki;K. Fujii;Y. Nakano;and M. Sugiyama
- 通讯作者:and M. Sugiyama
Low-temperature growth of AlN and GaN by metal organic vapor phase epitaxy for polarization engineered water splitting photocathode
- DOI:10.1016/j.jcrysgro.2016.12.005
- 发表时间:2017-04
- 期刊:
- 影响因子:1.8
- 作者:Akihiro Nakamura;M. Suzuki;K. Fujii;Y. Nakano;M. Sugiyama
- 通讯作者:Akihiro Nakamura;M. Suzuki;K. Fujii;Y. Nakano;M. Sugiyama
Photo-Induced Gain of Open-Circuit-Potential (OCP) in GaN Photoelectrodes for Characterizing Defects and Photoelectrochemical Activity
用于表征缺陷和光电化学活性的 GaN 光电极中的光致开路电位 (OCP) 增益
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Y. Imazeki;Y. Iwai;A. Nakamura;K. Koike;K. Watanabe;K. Fujii ;M. Sugiyama and Y. Nakano
- 通讯作者:M. Sugiyama and Y. Nakano
Band Alignment at n-GaN/Electrolyte Interface Explored by Photo-Induced Offset of Open-Circuit Potential for Efficient Water Splitting
通过光致开路电势偏移探索 n-GaN/电解质界面的能带对准,以实现高效水分解
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Yuuki Imazeki;Yohei Iwai;Akihiro Nakamura;Kayo Koike;Shin-ichiro Sato;Takeshi Ohshima;Katsushi Fujii;Masakazu Sugiyama and Yoshiaki Nakano
- 通讯作者:Masakazu Sugiyama and Yoshiaki Nakano
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- 发表时间:
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萩原一郎
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Conibeer Gavin
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Elucidation of band alignment in photocatalysts to obtain design strategy based on semiconductor physics
阐明光催化剂中的能带排列以获得基于半导体物理的设计策略
- 批准号:
18H03772 - 财政年份:2018
- 资助金额:
$ 28.62万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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24K01366 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 28.62万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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EP/Y024184/1 - 财政年份:2024
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